[发明专利]鳍式场效晶体管

说明书

技术领域

本发明实施例涉及一种鳍式场效晶体管。

背景技术

半导体组件的尺寸不断缩小，所开发的三维多重栅极结构(three-dimensional multi-gate structures)，例如鳍式场效晶体管(fin-type field effect transistor，FinFET)取代平面的互补式金氧半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS)组件。鳍式场效晶体管的结构特征为硅基鳍片(silicon based fin)，其从衬底的表面垂直延伸，且栅极会围绕由鳍片所形成的导电沟道，以进一步地对沟道提供更好的电气控制。

在鳍式场效晶体管的工艺期间，鳍片轮廓对于工艺裕度而言是相当关键的。目前鳍式场效晶体管的工艺可能面临负载效应(loading effect)以及鳍片弯曲(fin-bending)问题。

发明内容

本发明实施例提供一种鳍式场效晶体管，包括：衬底、多个隔离结构、多个阻挡层以与栅极叠层结构。衬底具有多个半导体鳍片。隔离结构位在衬底上，以隔离半导体鳍片。半导体鳍片突出于隔离结构。阻挡层位在隔离结构与半导体鳍片之间。阻挡层的材料与隔离结构的材料不同。栅极叠层结构横跨过部分半导体鳍片、部分所述阻挡层以及部分所述隔离结构。

附图说明

图1是依照本发明一些实施例的一种鳍式场效晶体管的制造方法的流程图；

图2A至图2M是依照本发明一些实施例的一种鳍式场效晶体管的制造方法的立体图；

图3A至图3G是沿着图2A至图2G的I-I’线的鳍式场效晶体管的剖面图；

图3H至图3I是沿着图2H至图2I的II-II’线的鳍式场效晶体管的剖面图；

图3J至图3M是沿着图2J至图2M的III-III’线的鳍式场效晶体管的剖面图。

具体实施方式

以下揭示内容提供用于实施所提供的目标之不同特征的许多不同实施例或实例。以下所描述的构件及配置的具体实例是为了以简化的方式传达本发明为目的。当然，这些仅仅为实例而非用以限制。举例来说，在以下描述中，在第二特征上方或在第二特征上形成第一特征可包括第一特征与第二特征形成为直接接触的实施例，且也可包括第一特征与第二特征之间可形成有额外特征，使得第一特征与第二特征可不直接接触的实施例。为了简单及清楚起见，各种特征可任意地示出为不同尺寸。此外，本发明在各种实例中可重复使用组件标号和/或字母。组件标号的重复使用是为了简单及清楚起见，且并不表示所欲讨论的各个实施例和/或配置本身之间的关系。

另外，为了易于描述附图中所示出的一个构件或特征与另一组件或特征的关系，本文中可使用例如“在...下”、“在...下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”及类似术语的空间相对术语。除了附图中所示出的定向之外，所述空间相对术语意欲涵盖组件在使用或操作时的不同定向。设备可被另外定向(旋转90度或在其他定向)，而本文所用的空间相对术语相应地作出解释。

图1是依照本发明一些实施例的一种鳍式场效晶体管的制造方法的流程图。图2A至图2M是依照本发明一些实施例的一种鳍式场效晶体管的制造方法的立体图。图3A至图3G是沿着图2A至图2G的I-I’线的鳍式场效晶体管的剖面图。图3H至图3I是沿着图2H至图2I的II-II’线的鳍式场效晶体管的剖面图。图3J至图3M是沿着图2J至图2M的III-III’线的鳍式场效晶体管的剖面图。