[发明专利]晶片的加工方法在审

专利信息
申请号: 201611088993.8 申请日: 2016-11-30
公开(公告)号: CN107017202A 公开(公告)日: 2017-08-04
发明(设计)人: 森数洋司 申请(专利权)人: 株式会社迪思科
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;H01L21/304;B23K26/18;B23K26/364;B23K10/00;B28D1/22
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司11127 代理人: 李辉,于靖帅
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 晶片 加工 方法
【权利要求书】:

1.一种晶片的加工方法,将在基板的上表面上隔着缓冲层层叠有功能层并在正面上具有由分割预定线划分的多个器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件,其中,该晶片的加工方法具有如下的工序:

切断工序,沿着分割预定线至少将功能层切断;

保护部件配设工序,在实施了该切断工序之后,在晶片的正面上配设保护部件;

缓冲层破坏工序,在实施了该保护部件配设工序之后,将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于缓冲层而进行照射从而将缓冲层破坏;以及

基板剥离工序,在实施了该缓冲层破坏工序之后,将该基板从该功能层剥离而分离成每个器件。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法,其中,

在该保护部件配设工序中,将该晶片收纳在具有对该晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中并且利用粘合带对该晶片的正面与框架的外周进行粘贴而借助该粘合带将该晶片支承在框架上,从而在该晶片的正面上配设保护部件,

该晶片的加工方法还具有如下的拾取工序:在该基板剥离工序之后,对该粘合带进行扩张而使各器件的间隔扩张并从粘合带拾取器件。

3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法,其中,

该切断工序包含由切削刀具进行的切断、由激光光线进行的切断、由等离子蚀刻进行的切断以及由湿蚀刻进行的切断中的任意方式。

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