[发明专利]晶片的加工方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将正面上形成有功能层的薄板状的晶片分别分离成各个器件。

背景技术

通过激光加工装置等分割装置将在正面上形成有发光器件的晶片或在该基板的上表面上隔着缓冲层层叠有由GaN半导体层构成的功能层并由分割预定线划分而在正面上形成有功率器件的晶片沿着分割预定线切断而分割成各个发光器件、功率器件，并应用在各种照明设备或者电视等电子设备中，其中，该发光器件是在蓝宝石基板、SiC基板的上表面上隔着缓冲层并由分割预定线划分的由n型半导体层、p型半导体层构成的功能层(发光层：也称为epi层)。

上述各器件被应用于移动电话、具有通信功能的手表等，为了实现各装置的进一步小型化、轻量化，寻求使其厚度更薄的技术。作为当使器件从晶片分离而制造出器件时使其变薄的技术，已经提出了被称为先划片的技术(例如，参照专利文献1。)。

该技术是以如下的方式进行的技术：先沿着分割预定线形成深度相当于器件的完工厚度的槽，之后，在晶片的正面上配设保护部件而对晶片的背面进行磨削从而使该槽在背面露出并将晶片分割成各个器件。

专利文献1：日本特开平11-040520号公报

上述专利文献1所记载的技术是通过对晶片的背面进行磨削而使器件变薄的技术，但在硬度较高的晶片例如采用蓝宝石、SiC基板的情况下，很难对晶片的背面进行磨削，存在很难采用该先划片的技术而使分离得到的器件较薄的问题。

发明内容

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供晶片的加工方法，即使在采用了硬度较高的基板来作为层叠功能层的晶片的情况下，也能够使各个分离得到的器件较薄。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上隔着缓冲层层叠有功能层并在正面上具有由分割预定线划分的多个器件的晶片沿着分割预定线分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：切断工序，沿着分割预定线至少将功能层切断；保护部件配设工序，在实施了该切断工序之后，在晶片的正面上配设保护部件；缓冲层破坏工序，在实施了该保护部件配设工序之后，将对于基板具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于缓冲层而进行照射从而将缓冲层破坏；以及基板剥离工序，在实施了该缓冲层破坏工序之后，将该基板从该功能层剥离而分离出每个器件。

优选在该保护部件配设工序中，将该晶片收纳在具有对该晶片进行收纳的开口部的环状框架的该开口部中并且利用粘合带对该晶片的正面与框架的外周进行粘贴而借助该粘合带将该晶片支承在框架上，从而在该晶片的正面上配设保护部件，该晶片的加工方法还具有如下的拾取工序：在该基板剥离工序之后，对该粘合带进行扩张而使各器件的间隔扩张并从粘合带拾取器件。

而且，作为该切断工序，包含由切削刀具进行的切断、由激光光线进行的切断、由等离子蚀刻进行的切断以及由湿蚀刻进行的切断中的任意方式。

根据本发明的晶片的加工方法，当对采用硬度较高的基板例如蓝宝石基板、SiC基板而形成的由功能层构成的器件进行分离时，不用对各基板进行磨削便能够从功能层剥离，其结果是能够形成极薄的器件。

并且，由于不用对基板进行磨削便能使其从功能层剥离，所以剥离出的基板能够作为用于形成功能层的基板而进行再利用，在经济方面有利。

附图说明

图1的(a)和(b)是光器件晶片的立体图和主要部分放大剖视图。

图2的(a)、(b)和(c)是示出切削工序的说明图。

图3是示出保护部件配设工序的说明图。

图4的(a)和(b)是示出缓冲层破坏工序的说明图。

图5是示出基板剥离工序的说明图。

图6是示出拾取工序的说明图。

标号说明

3：切削装置；31：卡盘工作台；32：切削单元；33：拍摄单元；4：激光光线照射单元；41：聚光器；5：剥离机构；51：吸附单元；52：支承单元；6：分离装置；61：框架保持部件；62：夹具；63：扩张滚筒；64：拾取夹头；10：光器件晶片；11：外延基板；12：光器件层；13：缓冲层；21：分割预定线；22：器件。

具体实施方式