[发明专利]一种太阳能双玻组件的制备方法有效
申请号: | 201611091092.4 | 申请日: | 2016-12-01 |
公开(公告)号: | CN106449825B | 公开(公告)日: | 2018-03-30 |
发明(设计)人: | 王健新 | 申请(专利权)人: | 无锡乐峰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/18 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司11614 | 代理人: | 王尧 |
地址: | 214231 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 组件 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能光伏组件制备领域,尤其是涉及一种太阳能双玻组件的制备方法。
背景技术
随着太阳能电池技术的进步,材料成本的降低,光伏发电技术现已步入成熟,太阳能光伏产品也从特殊专业化用途逐渐向市场化的消费类产品发展,其应用范围扩展到各个领域。常用的太阳能双玻组件封装材料主要有PVB膜和EVA膜。
使用PVB胶膜进行双玻组件封装,一般须在层压机上将电池片与玻璃固定,此时的组件样品不易冷却透明,需二次加热再冷却,故使用高压釜高温高压再次封装,取出后冷却速度缓慢。整个封装流程复杂,操作繁琐,封装时间一般在一个小时以上,大大影响封装效率,另外,PVB树脂的价格比EVA树脂高,故使用PVB胶膜封装双玻太阳能组件存在成本较高且封装效率低等问题。
使用EVA胶膜封装在层压的时候遇到的普遍问题是电池片位移,组件出现微小气泡,尤其是组件的四角容易出现气泡这个问题导致组件在制造过程中的良品率降低。出现这个问题的主要原因是玻璃在进行层压的时候受到的压力不均匀,传统的方法是在组件外部添加采用传统环氧树脂制作的固定工装。但是由于传统的固定工装尺寸较大,不方便生产线批量性生产,所以一般不宜使用。
因此,需要一种既可以阻止电池片位移又可以消除双玻组件微小气泡现象同时可以适用于批量性生产的制备方法,提高产品的良品率。
发明内容
本发明的目的是针对常规EVA双玻组件容易出现的电池片位移和胶膜气泡的问题,提供一种新的太阳能双玻组件的制备方法,可以有效解决电池片位移和组件内气泡的问题,提高产品的良品率。
本发明的技术方案是:
一种太阳能双玻组件的制备方法,包括以下步骤:
(1)在底层钢化玻璃上敷设第一层EVA胶膜层,在第一层EVA胶膜层的上表面用刻刀在横竖方向各刻几道划痕,将串联好的电池片放在第一层EVA胶膜层上,并在电池片边沿用刻刀在其下面的第一层EVA胶膜层上刻一周划痕,然后在第一层EVA胶膜层四角各铺设一层胶膜片,在太阳能电池串上面再铺设第二层EVA胶膜层,用刻刀在第二层EVA胶膜层接触电池片的一面刻与第一层EVA胶膜层相同的划痕,然后再放上层钢化玻璃,形成太阳能双玻组件,其中在太阳能电池串敷设完成后,用汇流条将所述太阳能电池串串联为一个整体;
(2)一次EL测试,通过红外相机成像,检查步骤(1)双玻组件内的太阳能电池片是否有隐裂片,并剔除隐裂片;
(3)将通过一次EL测试的双玻组件置于层压机内,先抽真空,然后保持下室抽真空,上室充气,然后保压并加热令EVA胶膜热熔,使玻璃板与电池片粘结在一起;
(4)二次EL测试,通过红外相机成像,检查层压后的双玻组件内太阳能电池片是否有隐裂片,并剔除隐裂片。
上述步骤(1)中第一层EVA胶膜层和第二层EVA胶膜层上横向和纵向的划痕分别在电池片边缘到玻璃片边缘距离的1/3处,且与边线平行,划痕深度度为划痕所在的EVA胶膜层厚度的1/2,沿电池片边沿的划痕深度为划痕所在的EVA胶膜层厚度的1/2。
本发明的层压步骤:设置层压机内压力为-1MPa,维持35-45分钟,然后将层压机的下室抽真空,上室充气,使层压机上室压力为-0.8MPa,下室压力为-1MPa,维持10-15分钟,层压机上室压力-0.6MPa,下室压力-1MPa,维持15-20分钟,层压机上室压力-0.2MPa,下室压力-1MPa,维持15-20分钟;然后保压热熔,保持层压机内压力在-0.7~-0.8MPa,升温至设定热熔温度,维持35-40分钟,使胶膜软化将电池串和底、面层钢化玻璃粘接在一起。
本发明所述层压步骤的热熔温度为140℃-150℃。
本发明所述的第一层EVA胶膜层和第二层EVA胶膜层均为双玻组件专用EVA胶膜,厚度为0.45~0.55mm,第一层EVA胶膜层和第二层EVA胶膜层各铺设两层EVA胶膜。
本发明所述的胶膜片在材质上与第一层EVA胶膜层和第二层EVA胶膜层一致,但其厚度为0.4mm,胶膜片的长和宽分别为电池片边沿到玻璃片边沿的距离。
本发明的有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的