[发明专利]晶圆级芯片级封装及其形成方法

权利要求书

1.一种晶圆级芯片级封装，其特征在于，包括：

半导体结构；

在所述半导体结构上形成的第一焊盘；

在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；

在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的部分上形成的导电再分布层；

在所述保护层和所述导电再分布层上形成的平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；

在所述平面层和所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成的凸块下金属层；以及

在所述凸块下金属层上形成的导电凸块。

2.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述半导体结构和所述第一焊盘上形成的所述保护层具有平的上表面。

3.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，在所述第一焊盘被所述保护层暴露的部分上所形成的所述导电再分布层具有几乎平的上表面。

4.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述保护层包括介电材料。

5.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述平面层包括聚酰亚胺，聚苯并恶唑，或苯并环丁烯。

6.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述凸块下金属层形成于所述导电再分布层一部分上，所述导电再分布层的所述一部分位于所述第一焊盘被所述保护层暴露的部分上。

7.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述凸块下金属层形成于所述导电再分布层一部分上，所述导电再分布层的所述一部分位于所述第一焊盘未被所述保护层暴露的部分上。

8.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，从俯视图观察，所述第一焊盘被所述保护层暴露的多个部分分别具有大于或等于2微米的宽度。

9.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述第一焊盘被所述保护层暴露的多个部分分别为圆形、条形或多边形。

10.如权利要求1所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，还包括形成于所述半导体结构的另一部分上的第二焊盘。

11.如权利要求10所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述保护层形成于所述第二焊盘上且暴露所述第二焊盘的多个部分。

12.如权利要求11所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述导电再分布层形成于所述第二焊盘被所述保护层暴露的多个部分上，且所述导电再分布层包括几乎平的上表面。

13.如权利要求12所述的晶圆级芯片级封装，其特征在于，所述凸块下金属层形成于所述导电再分布层一部分上，所述导电再分布层的所述一部分位于所述第一焊盘被所述保护层暴露的部分上或所述第二焊盘被所述保护层暴露的部分上。

14.一种用于形成晶圆级芯片级封装的方法，其特征在于，包括

提供上面形成有第一焊盘的半导体结构；

在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成保护层，其中，所述保护层暴露所述第一焊盘的多个部分；

在所述保护层和所述第一焊盘被所述保护层所暴露的多个部分上形成导电再分布层；

在所述保护层和所述导电再分布层上形成平面层，所述平面层暴露所述导电再分布层的一部分；

在所述导电再分布层被所述平面层所暴露的部分上形成凸块下金属层；以及

在所述凸块下金属层上形成导电凸块。

15.如权利要求14所述的形成晶圆级芯片级封装的方法，其特征在于，所述在所述半导体结构和所述第一焊盘上形成保护层的步骤，包括：

在所述半导体结构和所述第一焊盘上一致地形成所述保护层；

执行平面化的过程以将所述保护层位于所述第一焊盘上的一部分移除，以便平面化所述半导体结构和所述第一焊盘上的所述保护层的上表面；以及

在所述平面化的过程之后，在所述保护层中形成多个第一开口以暴露所述第一焊盘的多个部分。