[发明专利]一种降低铝电解电容器化成箔漏电流的化成处理方法有效

专利信息
申请号: 201611094028.1 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN108155016B 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 余英凤;邓利松;何凤荣 申请(专利权)人: 东莞东阳光科研发有限公司
主分类号: H01G9/00 分类号: H01G9/00;H01G9/055;H01G9/145
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 523871 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 铝电解电容器 化成 漏电 处理 方法
【权利要求书】:

1.一种降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,包括以下步骤:

A、取经过腐蚀的铝箔置于90-100℃纯水中处理;

B、将水煮后的铝箔浸渍于硅烷偶联剂溶液中处理;

C、将浸渍后的铝箔置于化成液中依次进行第一级化成、第二级化成、第三极化成和第四级化成;

D、将四级化成结束后的铝箔第一次高温处理;

E、将第一次高温处理后的铝箔在化成液中进行第五级化成;

F、将第五级化成后的铝箔置于磷酸溶液中处理;

G、将F中处理后的铝箔于化成液中进行第六级化成;

H、将第六级化成后的铝箔第二次高温处理;

I、将H中高温处理后的铝箔在化成液中进行第七级化成;

J、将第七级化成后的铝箔置于磷酸二氢铵溶液中磷化处理;

K、将J中经磷化处理后的铝箔浸渍于硅烷偶联剂溶液中处理,水洗,烘干。

2.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤A中纯水处理时间为5~10min。

3.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤C中四级化成的电压分别为100~200V、300-400V、400-500V、500-600V;化成温度均为80~90℃;化成时间为5~12min。

4.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤D和H中高温处理温度为400~550℃,处理时间为1~5min。

5.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤E、G和I中各级化成的化成电压均为500-600V;化成温度均为80~90℃;化成时间为5~12min。

6.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤F中磷酸溶液的质量分数为1~5%;处理温度为40~60℃,处理时间为2~5min。

7.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤J中磷酸二氢铵溶液的质量分数为1~5%。

8.根据权利要求1所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述各级化成液为质量分数为5~10%的硼酸溶液。

9.根据权利要求1-8任一项权利要求所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤B和K中,硅烷偶联剂溶液处理的温度为40~80℃,处理时施加的电压为10~50V,处理的时间为5~30min。

10.根据权利要求1-8任一项权利要求所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤B和K中,硅烷偶联剂为3-氨基丙基三甲氧基硅烷偶联剂、乙烯基三甲氧基硅烷偶联剂、氨丙基甲基二乙氧基硅烷偶联剂、γ-氯丙基甲基二乙氧基硅烷偶联剂、3-(甲基丙烯酰氧)丙基三甲氧基硅烷的一种或几种。

11.根据权利要求1-8任一项权利要求所述的降低铝电解电容器用电极箔漏电流的化成处理方法,其特征在于,所述步骤B和K中,硅烷偶联剂溶液为质量分数为0.5%~5%硅烷偶联剂的乙醇溶液。

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