[发明专利]一种高纯致密氧化镁靶材及其制备方法

权利要求书

1.一种高纯致密氧化镁靶材的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

1)以氧化镁粉末为原料，对原料进行行星球磨，球磨转速为150～300r/min，球磨时间为8～32h，球料比为(1.5:1)～(3:1)，研磨后的粉末进行200目筛分；所述氧化镁粉末的纯度为99.99％以上，杂质元素总含量为100ppm以下，平均粒径为100～300nm；所述球磨的介质为氧化锆球，球级差中球：小球为(1:1)～(3:1)；

2)步骤1)中筛后粉末进行冷等静压成型，压力为150～350MPa，保压时间为5～20min，得到氧化镁压坯；

3)步骤2)中氧化镁压坯进行真空烧结，烧结温度为1400～1550℃，保温时间为2～10h，真空度为0.1～1.0Pa，真空烧结结束后，根据所需靶材尺寸进行机械加工，得到高纯致密氧化镁靶材；

所述高纯致密氧化镁靶材的致密度为98.36％以上，杂质元素总含量为100ppm以下，平均晶粒尺寸为7μm以下，尺寸偏差为3.0μm以下，表面粗糙度Ra低于0.4μm。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2)中氧化镁压坯的相对密度为58％～62％，相对密度偏差低于2％。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3)中真空烧结的升温过程分为三个阶段：室温加热到500～1000℃，保温4～10h，1000℃以下加热速率不超过5℃/min；在温度达到1000℃后开始抽真空，在10min内到烧结真空度0.1～1.0Pa；1000℃升温到烧结温度1400～1550℃，加热速率不超过2℃/min，保温2～10h。

4.根据权利要求1～3任一项所述方法制备的高纯致密氧化镁靶材。