[发明专利]用于设计半导体器件的方法及系统有效
申请号: | 201611095252.2 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN106816436B | 公开(公告)日: | 2021-10-26 |
发明(设计)人: | 蔡念豫;徐金厂;李宪信;杨稳儒 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 设计 半导体器件 方法 系统 | ||
1.一种设计半导体器件的方法,其特征在于,所述方法包括:
为多个单元中的每一单元的布局建立边界条件,其中所述多个单元中的每一单元具有多个特征,且为所述多个单元中的每一单元的所述布局建立边界条件是基于所述多个特征中的每一特征相对于所述多个单元中的对应单元的单元边界的邻近性;
基于用于制造所述半导体器件的层的掩模的数目、对所述多个特征的最小间距要求、以及所述所建立的边界条件来判断所述多个单元中的每一单元的所述布局是否是可着色的;
通过使所述多个单元中的第一单元贴靠所述多个单元中的第二单元来形成所述半导体器件的所述层的布局;以及
报告所述半导体器件的所述层的所述布局是可着色的,而不分析所述半导体器件的所述层的所述布局。
2.根据权利要求1所述的方法,所述建立所述边界条件包括:确定所述多个特征中的每一特征的风险因数。
3.根据权利要求2所述的方法,确定所述风险因数包括:确定所述多个特征中的每一特征的端部相对于所述多个单元中的对应单元的敏感区的位置。
4.根据权利要求2所述的方法,建立所述边界条件包括:基于所述所确定的风险因数将锚节点链接至所述多个特征中的每一特征。
5.根据权利要求4所述的方法,判断所述多个单元中的每一单元的所述布局是否是可着色的包括:产生冲突图表,所述冲突图表包括与所述多个特征对应的节点及所述锚节点。
6.根据权利要求5所述的方法,判断所述多个单元中的每一单元的所述布局是否是可着色的包括:基于用于制造所述半导体器件的所述层的掩模的数目来分解所述冲突图表。
7.根据权利要求6所述的方法,判断所述多个单元中的每一单元的所述布局是否是可着色的包括:利用基于规则的分析或基于试探的分析来分析所述经分解的冲突图表。
8.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:如果确定所述单元是不可着色的,则修改所述多个单元中的单元。
9.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:从单元库接收所述多个单元。
10.根据权利要求1所述的方法,建立所述边界条件包括:在所述多个单元中的对应单元的敏感区中定义至少一条阈值线,并基于所述多个特征中的每一特征的端部相对于所述至少一条阈值线的地点来确定所述多个特征中的每一特征的风险因数。
11.根据权利要求10所述的方法,定义至少一条阈值线包括:如果用于制造所述半导体器件的所述层的所述掩模的数目大于三,则在所述多个单元中的所述对应单元的所述敏感区中定义多条阈值线。
12.根据权利要求1所述的方法,建立所述边界条件包括:邻近所述多个单元中的每一单元的第一边缘来定义第一敏感区。
13.根据权利要求12所述的方法,在所述多个单元中的每一单元中定义所述第一敏感区包括:定义具有与最小间距要求的一半相等的宽度的所述第一敏感区。
14.根据权利要求12所述的方法,在所述多个单元中的每一单元中定义所述第一敏感区包括:定义具有与最小间距要求的一半不同的宽度的所述第一敏感区。
15.根据权利要求12所述的方法,建立所述边界条件包括:邻近所述多个单元中的每一单元的第二边缘来定义第二敏感区,且所述第二敏感区具有与所述第一敏感区的宽度不同的宽度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的