[发明专利]聚酰胺酸、覆铜板及电路板在审

专利信息
申请号: 201611095835.5 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN107540840A 公开(公告)日: 2018-01-05
发明(设计)人: 高郁雯;徐茂峰;向首睿;苏赐祥;滕家吟 申请(专利权)人: 臻鼎科技股份有限公司
主分类号: C08G73/10 分类号: C08G73/10;C08J5/18;H05K1/03
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 代理人: 薛晓伟
地址: 中国台湾桃园县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 聚酰胺 铜板 电路板
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种聚酰胺酸,由该聚酰胺酸制得的覆铜板,及应用该覆铜板制得的电路板。

背景技术

近年来,印刷电路板被广泛应用于各种电子产品上。目前,印刷电路板一般由覆铜板作为基材制得。其中,覆铜板包括铜箔、聚酰亚胺膜、及位于铜箔与聚酰亚胺膜之间用于将铜箔与聚酰亚胺膜结合在一起的胶粘层。

在电路板的制作过程中,会蚀刻掉结合在聚酰亚胺膜表面的部分铜箔,从而使得该区域的聚酰亚胺膜未结合铜箔而裸露,在电路板的安装等制程中会使用CCD照相机透视该未结合铜箔的聚酰亚胺膜,以对元件进行精准定位。如此就要求该未结合铜箔的聚酰亚胺膜具有优良的透光度。

为使去除铜箔后的聚酰亚胺膜具有较高的透光度,可以在表面粗糙度较低的铜箔的表面涂布形成聚酰亚胺膜,这样可以保证在去除铜箔后聚酰亚胺膜的表面粗糙度较低而具有较高的透光度。然而,现有的聚酰亚胺膜与表面粗糙度较低的铜箔的结合力较低,使用表面粗糙度较低的铜箔制作覆铜板时,铜箔与聚酰亚胺膜的结合力较低。

发明内容

有鉴于此,有必要提供一种新型的用于制作聚酰亚胺膜的聚酰亚胺酸,以解决以上问题。

另,还有必要提供一种由所述聚酰亚胺酸制得的覆铜板。

另,还有必要提供一种应用所述覆铜板制得的电路板。

一种聚酰亚胺酸,其主要由二酐单体及二胺单体聚合而成,该二酐单体为芳香族四羧酸二酐单体,该二胺单体包括含有嘧啶基的二胺单体及芳香族二胺单体。

一种覆铜板,其包括铜箔及结合于该铜箔的表面的聚酰亚胺膜,该聚酰亚胺膜由上述聚酰亚胺酸涂布在铜箔的表面后经高温环化形成。

一种电路板,其包括电路基板及覆盖在该电路基板至少一表面的覆盖膜,该电路基板包括聚酰亚胺膜及结合在该聚酰亚胺膜至少一表面的导电线路层,该电路基板由覆铜板制成,该覆铜板包括铜箔及结合于该铜箔的表面的聚酰亚胺膜,该导电线路层通过对铜箔进行蚀刻后形成,该聚酰亚胺膜由上述聚酰亚胺酸涂布在铜箔的表面后经高温环化形成。

所述聚酰亚胺酸主要由二酐单体及二胺单体聚合而成,且该二胺单体包括含有嘧啶基的二胺单体,从而使聚酰亚胺酸中包含有嘧啶基,该嘧啶基可以与铜离子发生配位作用,从而使得聚酰亚胺酸与铜箔之间具有较强的结合力,进而使得由该聚酰亚胺酸制得的聚酰亚胺膜与铜箔之间具有较强的结合力,如此,可在表面粗糙度较低的铜箔的表面涂布聚酰亚胺酸从而制备覆铜板,如此可以使结合在覆铜板的铜箔表面的聚酰亚胺膜具有较为平整的表面,实现了在保证聚酰亚胺膜与铜箔具有较强的结合力的同时聚酰亚胺膜还具有较高的透光度。此外,由于由该聚酰亚胺酸制得的聚酰亚胺膜与铜箔之间具有较强的结合力,如此可以省去一般的覆铜板中为将铜箔与聚酰亚胺膜结合在一起而使用的胶粘剂,如此可以进一步提高聚酰亚胺膜的透光度,并节约成本。

附图说明

图1是本发明一较佳实施例的覆铜板的截面示意图。

图2是本发明一较佳实施例的电路板的截面示意图。

主要元件符号说明

覆铜板 100

铜箔 10

聚酰亚胺膜 20

电路板 200

电路基板 201

导电线路层 2011

覆盖膜 202

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

请结合参阅图1,本发明较佳实施方式提供一种聚酰亚胺酸,其主要用于制作覆铜板100中结合于铜箔10表面的聚酰亚胺膜20。该聚酰亚胺酸主要由二酐单体及二胺单体聚合而成。该二酐单体为芳香族四羧酸二酐单体。该二胺单体包括含有嘧啶基的二胺单体及芳香族二胺单体。

所述聚酰亚胺酸中含有嘧啶基,该嘧啶基可以与铜离子发生配位作用,从而使得聚酰亚胺酸与铜箔10之间具有较强的结合力,进而使得由该聚酰亚胺酸制得的聚酰亚胺膜20与铜箔10之间具有较强的结合力。

所述聚酰亚胺酸中固态组分的重量占聚酰亚胺酸总重量的15%~30%。该聚酰亚胺酸的粘度范围优选为25000~80000CPS(厘帕·秒)。

所述含有嘧啶基的二胺单体的摩尔量占所有二胺单体的摩尔量的3%~8%。该含量范围可以保证由该聚酰亚胺酸制得的聚酰亚胺膜具有较强的剥离强度的同时具有较好的透光度。实验表明,当含有嘧啶基的二胺单体的摩尔量大于3%~8%的范围时,对所制得的聚酰亚胺膜的剥离强度的提升不大,却因含有嘧啶基的二胺单体在吸光时有较大的电荷转移效应而导致透光度明显降低。

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