[发明专利]测试组件及其监控显示面板电性特性的方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201611096530.6 申请日: 2016-12-02
公开(公告)号: CN106771726B 公开(公告)日: 2019-10-22
发明(设计)人: 杨一峰;陈方甫 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G01R31/00 分类号: G01R31/00;G01R27/02
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 测试 组件 及其 监控 显示 面板 特性 方法
【权利要求书】:

1.一种用于监控显示面板电性特性的测试组件,设置于所述显示面板的非显示区,其特征在于,所述测试组件至少包括:浅孔测试元件、深孔测试元件及半接孔测试元件,所述浅孔测试元件用于获取浅孔中源漏极金属层与像素电极层的接触阻抗大小,所述深孔测试元件用于获取深孔中栅极金属层与像素电极层的接触阻抗大小,所述半接孔测试元件用于获取半接孔中像素电极层分别与源漏极金属层和栅极金属层的接触阻抗大小;

其中,所述半接孔测试元件包括:

栅极金属层,设置于基板上;

栅极绝缘层,设置于所述基板和所述栅极金属层上;

有源层,设置于所述栅极绝缘层上;

源漏极金属层,设置于所述有源层上;

钝化层,设置于所述源漏极金属层和所述栅极绝缘层上;

半接孔,形成于所述钝化层、所述源漏极金属层、所述有源层及所述栅极绝缘层中,所述半接孔将所述栅极金属层暴露;

像素电极层,设置于所述钝化层上,所述像素电极层通过所述半接孔与所述源漏极金属层和所述栅极金属层接触。

2.根据权利要求1所述的测试组件,其特征在于,所述浅孔测试元件包括:

栅极金属层,设置于基板上;

栅极绝缘层,设置于所述基板和所述栅极金属层上;

源漏极金属层,设置于所述栅极绝缘层上;

钝化层,设置于所述源漏极金属层和所述栅极绝缘层上;

浅孔,形成于所述钝化层中,所述浅孔将所述源漏极金属层暴露;

像素电极层,设置于所述钝化层上,所述像素电极层通过所述浅孔与所述源漏极金属层接触。

3.根据权利要求1或2所述的测试组件,其特征在于,所述浅孔测试元件的数量至少为两个。

4.根据权利要求1所述的测试组件,其特征在于,所述深孔测试元件包括:

栅极金属层,设置于基板上;

栅极绝缘层,设置于所述基板和所述栅极金属层上;

钝化层,设置于所述栅极绝缘层上;

深孔,形成于所述钝化层和所述栅极绝缘层中,所述深孔将所述栅极金属层暴露;

像素电极层,设置于所述钝化层上,所述像素电极层通过所述深孔与所述栅极金属层接触。

5.根据权利要求1或4所述的测试组件,其特征在于,所述深孔测试元件的数量至少为两个。

6.根据权利要求1所述的测试组件,其特征在于,所述半接孔测试元件的数量至少为一个。

7.一种显示面板,包括显示区域和非显示区域,其特征在于,所述非显示区域中设置有权利要求1至6任一项所述的测试组件。

8.一种利用权利要求1至6任一项所述的测试组件监控显示面板的电性特性的方法,其特征在于,所述方法包括:利用所述浅孔测试元件获取浅孔中源漏极金属层与像素电极层的接触阻抗大小,且利用所述深孔测试元件获取深孔中栅极金属层与像素电极层的接触阻抗大小,且利用所述半接孔测试元件获取半接孔中像素电极层分别与源漏极金属层和栅极金属层的接触阻抗大小,从而监控显示面板的电性特性。

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