[发明专利]Ge场效应晶体管(FET)和制造方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管FET，其包括：

-包含锗Ge的有源区；以及

-所述有源区上的栅堆叠，其包括：

·Si钝化层，所述钝化层的厚度是1-8个单层；

·所述钝化层上的界面电介质层，所述界面电介质层包含SiOx，其中，x是大于0的整数；

·所述界面电介质层上的电介质包覆层，所述电介质包覆层包含形成界面偶极的材料；

·所述电介质包覆层上的高k电介质层；

·所述高k电介质层上的栅电极层；

其中，所述电介质包覆层与所述界面电介质层和所述高k电介质层物理接触。

2.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述形成界面偶极的材料包括以下任意材料：镧La、钇Y、镁Mg、铒Er、镝Dy、钆Gd或者其他稀土材料。

3.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述电介质包覆层是过渡金属氧化物层或者过渡金属硅酸盐层。

4.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述电介质包覆层是原子层沉积ALD层或者物理气相沉积PVD层。

5.如权利要求4所述的FET，其特征在于，PVD电介质包覆层包括La_xO_z，其中，x、z是大于0的整数。

6.如权利要求4所述的FET，其特征在于，ALD电介质包覆层包括La_xO_z或La_xSi_yO_z，其中，x、y和z是大于0的整数。

7.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述高k材料选自以下任意材料：HfO_x、HfSiO_x、HfSiON、LaO_x、ZrO_x、ZrSiO_x、TaO_x、AlO_x，或其任意组合。

8.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述电极包括选自下组的金属：TiN、TiAl、TaN、TaC、TiC、Ti、Ta、Mo、Ru或W。

9.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述界面电介质层包括SiO₂，以及所述电介质包覆层包括La₂O₃或LaSiO或LaSiO₂。

10.如权利要求1所述的FET，其特征在于，所述FET是FinFET或者GAA FET。

11.一种制造场效应晶体管FET的方法，该方法包括以下步骤：

-提供包含锗Ge的有源区；

-在所述有源区上提供栅堆叠，所述栅堆叠包括：

·在所述有源区上提供Si钝化层，所述钝化层的厚度是1-8个单层；

·在所述钝化层上提供界面电介质层，所述界面电介质层包含SiOx，其中，x是大于0的整数；

·在所述界面电介质层上提供电介质包覆层，所述电介质包覆层包含形成界面偶极的材料；

·在所述电介质包覆层上提供高k电介质层；

·在所述高k电介质层上提供栅电极层；

其中，所述电介质包覆层与所述界面电介质层和所述高k电介质层物理接触。

12.如权利要求11所述的制造场效应晶体管FET的方法，其特征在于，通过物理气相沉积PVD提供所述电介质包覆层。

13.如权利要求11所述的制造场效应晶体管FET的方法，其特征在于，通过原子层沉积ALD提供所述电介质包覆层。