[发明专利]反相器电路

权利要求书

1.一种反相器电路，其中，具备：

第一P沟道MISFET，其源极连接于高电位侧端子，漏极连接于输出端子；

第一N沟道MISFET，其源极连接于具有比所述高电位侧端子低的电位的低电位侧端子，漏极连接于所述输出端子；

第一延迟元件，其连接在被输入输入信号的输入端子和所述第一P沟道MISFET的栅极之间；

第一开关元件，其与所述第一延迟元件并联连接在所述输入端子和所述第一P沟道MISFET的栅极之间；

第二延迟元件，其连接在所述输入端子和所述第一N沟道MISFET的栅极之间；以及

第二开关元件，其与所述第二延迟元件并联连接在所述输入端子和所述第一N沟道MISFET的栅极之间，

所述第一开关元件和所述第二开关元件响应于所述输出端子的电位而工作。

2.根据权利要求1所述的反相器电路，其中，

所述第一开关元件被构成为在所述输出端子为第一电位时变为截止状态并且在所述输出端子为比所述第一电位高的第二电位时变为导通状态，

所述第二开关元件被构成为在所述输出端子为所述第一电位时变为导通状态并且在所述输出端子为所述第二电位时变为截止状态。

3.根据权利要求1所述的反相器电路，其中，

所述第一开关元件包括第二N沟道MISFET，

所述第二开关元件包括第二P沟道MISFET，

所述第二N沟道MISFET的源极和漏极的一个连接于所述输入端子，另一个连接于所述第一P沟道MISFET的栅极，

所述第二P沟道MISFET的源极和漏极的一个连接于所述输入端子，另一个连接于所述第一N沟道MISFET的栅极，

所述第二N沟道MISFET和所述第二P沟道MISFET的栅极连接于所述输出端子。

4.根据权利要求3所述的反相器电路，其中，

还具备反相器，

所述第一开关元件还包括源极和漏极的一个连接于所述输入端子并且另一个连接于所述第一P沟道MISFET的栅极的第三P沟道MISFET，

所述第二开关元件还包括源极和漏极的一个连接于所述输入端子并且另一个连接于所述第一N沟道MISFET的栅极的第三N沟道MISFET，

在所述反相器中，输入连接于所述输出端子，输出连接于所述第三P沟道MISFET和所述第三N沟道MISFET的栅极。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的反相器电路，其中，

所述第一延迟元件和所述第二延迟元件均为阻抗元件。

6.一种反相器电路，其中，具备：

第一P沟道MISFET，其源极连接于高电位侧端子，漏极连接于输出端子；

第一N沟道MISFET，其源极连接于具有比所述高电位侧端子低的电位的低电位侧端子，漏极连接于所述输出端子；

第一阻抗元件，其连接在被输入输入信号的输入端子和所述第一P沟道MISFET的栅极之间；

第二阻抗元件，其连接在所述输入端子和所述第一N沟道MISFET的栅极之间；

第二N沟道MISFET；以及

第二P沟道MISFET，

所述第二N沟道MISFET的源极和漏极的一个连接于所述输入端子，另一个连接于所述第一P沟道MISFET的栅极，

所述第二P沟道MISFET的源极和漏极的一个连接于所述输入端子，另一个连接于所述第一N沟道MISFET的栅极，

所述第二N沟道MISFET和所述第二P沟道MISFET的栅极连接于所述输出端子。

7.一种电平位移器，对输入信号进行电平位移而输出输出信号，其中，

所述电平位移器的输出所述输出信号的输出级具备权利要求1至6中的任一项所述的反相器电路。

8.一种振荡电路，其中，具备：

振荡部，其进行振荡工作而生成周期信号；以及

权利要求1至6中的任一项所述的反相器电路，

向所述反相器电路的所述输入端子输入所述周期信号。

9.一种半导体集成电路，具备外部输出电路，其中，

所述外部输出电路具备权利要求1至6中的任一项所述的反相器电路，

所述反相器电路从所述输出端子向该半导体集成电路的外部的装置输出外部输出信号。

10.一种电荷泵电路，其中，具备权利要求7所述的电平位移器。