[发明专利]一种钙钛矿材料及其相关薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201611109557.4 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106854749B | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 马瑞新;王成彦;李士娜;武东;赵卫爽;马梓瑞 | 申请（专利权）人： | 广州光鼎科技集团有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 郑永泉;邱奕才 |
| 地址： | 510450 广东省广州市中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 钙钛矿材料 制备 薄膜 钙钛矿 靶材 碘甲 溶解 半导体材料领域 真空磁控溅射 钙钛矿薄膜 太阳能光电 异丙醇溶剂 磁控溅射 配比混合 性能要求 有机溶剂 研磨 传统的 分析纯 放气 放入 乙胺 按摩 压制 | ||
1.一种钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.将分析纯及以上的PbI2与碘甲胺或碘乙胺按摩尔比1:0.8～1.2的配比混合，加入异丙醇或DMF或无水甲醇作为研磨介质研磨， 研磨后进行烘干得到钙钛矿材料；
S2.将步骤S1得到的钙钛矿材料压制成钙钛矿靶材：
S3.将步骤S2得到的钙钛矿靶材放入真空磁控溅射台进行磁控溅射，薄膜厚度达到50～1500nm后放气，得到钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S1中，分析纯及以上的PbI2与碘甲胺或碘乙胺按摩尔比1:1配比。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，钙钛矿材料压制后进行真空密封得到钙钛矿靶材。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将步骤S1得到的钙钛矿材料放入模具中在5～150MPa压力下压制成钙钛矿靶材。
5.根据权利要求4所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S2中，将步骤S1得到的钙钛矿材料放入模具中在10～l00MPa压力下压制成钙钛矿靶材。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，进行磁控溅射前将真空磁控溅射台抽真空至10-4～10-6 Pa充入氩气至0.5～0.8Pa。
7.根据权利要求6所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，进行磁控溅射前将真空磁控溅射台抽真空至10-5 Pa充入氩气至0.5～0.8Pa。
8.根据权利要求1或 3或6或7所述的钙钛矿薄膜的制备方法，其特征在于，步骤S3中，磁控溅射薄膜达到100～l000nm后放气取出。
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