[发明专利]半导体器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一再分布层，位于衬底上方；

保护层，位于所述第一再分布层上方，所述保护层包括第一材料；

第一导电材料，延伸穿过所述保护层中的多个开口以制造与所述第一再分布层的电连接，所述第一导电材料在所述保护层上方具有竖直延伸的侧壁和连接于所述侧壁的凸出上表面并且具有小于3μm的第一厚度；以及

支撑结构，位于所述第一导电材料和所述第一再分布层之间，其中，所述多个开口均为圆形并且在所述凸出上表面下方以围绕所述第一导电材料的中心的圆形方式布置，所述支撑结构包括所述第一材料并且位于所述第一导电材料的所述凸出上表面下方以及在顶视图中位于所述多个开口之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述顶视图中，所述开口围绕所述支撑结构。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个开口包括第一开口和第二开口，所述第一导电材料延伸穿过所述保护层中的所述第一开口和所述第二开口以制造与所述第一再分布层的电连接，所述第二开口不同于所述第一开口。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述多个开口还包括第三开口和第四开口，所述第一导电材料也延伸穿过所述保护层中的所述第三开口，所述第三开口不同于所述第一开口和所述第二开口，并且其中，所述第一导电材料也延伸穿过所述保护层中的所述第四开口，所述第四开口不同于所述第一开口、所述第二开口和所述第三开口。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括位于所述保护层上方的第二再分布层，其中，所述第二再分布层具有第一厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一导电材料将所述第一再分布层连接至集成扇出结构。

7.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在再分布层上方沉积介电层，所述介电层包括第一介电材料；

形成穿过所述介电层的多个开口，其中，形成所述多个开口留下了位于所述多个开口的分离部分之间的所述第一介电材料的支撑结构；以及

在所述多个开口中沉积导电材料并且所述导电材料也至少部分地位于所述介电层上方，其中，沉积所述导电材料在所述介电层上方将所述导电材料沉积至不大于3μm的厚度，并且所述导电材料在所述介电层上方具有竖直延伸的侧壁和连接于所述侧壁的凸出上表面，所述多个开口均为圆形并且在所述凸出上表面下方以围绕所述导电材料的中心的圆形方式布置，所述支撑结构位于所述导电材料的所述凸出上表面下方以及在顶视图中位于所述多个开口之间。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在所述导电材料上方形成覆盖层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述覆盖层包括焊料并且具有小于2μm的厚度。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括：

将所述覆盖层连接至测试探针；以及

去除所述覆盖层。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述多个开口包括形成两个以上的分离的开口。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述多个开口包括形成四个分离的开口。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述四个分离的开口的每个都具有10μm的直径。