[发明专利]一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂探测方法

说明书

本发明提供了一种探测硅片隐裂的设备及其利用该设备进行硅片隐裂探测的方法，属于硅片制作装置领域，其包括两个传送带和两个传送带间隔设置预留有间隙，所述的预留的间隙作为检测区，在检测区的下方设有倾斜布置的IR红外发生器，位于检测区上方设有暗箱，红外发生器的发光口与检测区相对，在暗箱的顶部设有CCD相机，在检测过程中依次进行，感应硅片、启动检测单元、拾取像素点、合成图像、识别裂纹、分筛步骤，整体设备不对硅片施加外部其他物理手段，不改变硅片的物理性能，无安装硅片的程序，可继承在生产线上，防止工人转运途中颠簸安装等一切人为因素等隐患。

技术领域

本发明属于硅晶单元制作领域，尤其涉及一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂的探测方法。

背景技术

硅片隐裂是指的硅片单元内部存在破损，因机械应力产生裂痕，产生了硅片隐裂的硅片单元在使用过程中，会出现许硅片单元失效，功能不足等问题，影响硅片的细栅线传输电能能力，目前现有技术中硅片隐裂一般是依靠电检测法来检测硅片明暗情况，电检测法在检测过程中需要对硅片进行通电，然后在观察通电后硅片是否存在缺陷，热场是否均匀，电检测法在对硅片检测的过程中需要对硅片施以不同的电压和电流，其具有以下缺陷：①人工操作容易损坏硅片，人工需要将硅片夹在电源上，现有的硅片越来越薄极易损坏。②对于未串装的硅片施加电流和电压以测试功率容易损坏硅片内部结构，造成硅片产电性能降低，误检率高。③耗时较长，需要夹取配装。④人为影响较大，硅片成像后人为观测热场是否有黑斑，且检测效率低。

发明内容

发明目的，本发明针对上述现有硅片检测技术耗时长误检率高的特点，而提供了一种探测硅片隐裂的设备及其硅片隐裂的探测方法。

本发明所要解决的问题是由以下技术方案实现的：

提供了一种硅切片防粘片方法，其包括以下步骤：

提供了一种探测硅片隐裂的设备，其特征在于：包括第一传送带1和第二传送带2，第一传送带与第二传送带相对设置，第一传送带与第二传送带之间预留有间隙，所述的预留的间隙作为检测区，在检测区的下方设有倾斜布置的IR红外发生器9，位于检测区上方设有暗箱5，暗箱的内腔与检测区相通，红外发生器的发光口与检测区相对，在暗箱的顶部设有CCD相机6，CCD相机的采光头正对检测区。

进一步的，所述的红外发生器与水平面的倾斜角度为60°～85°

进一步的，红外发生器的发光口的宽度大于检测区的宽度。

进一步的，在第一传送带下方位于检测区一侧设有感应单元2。

进一步的，所述的两个传送带之间配装有同步带。

根据上述的一种探测硅片隐裂的设备提供一种硅片隐裂探测方法，其特征在于：包括以下步骤：

①感应硅片，将硅片水平置入传送带上，当硅片在传送带上水平运输并经过感应单元时，感应单元输出抵达信号；

②启动检测单元，控制器收到抵达信号后随之启动红外发生器和CCD相机，设定红外发生器的红外线波长1.1μm，CCD相机将此时图像传输至控制单元，控制单元将此时图像左上方顶角处的像素点作为坐标原点建立坐标系并为每个像素点都分配坐标；

③拾取像素点，控制单元预设图像灰度阈值为N，N为130-150之间任意一数值，红外发生器发射的红外线斜向照射在硅片上，CCD相机将硅片在水平传输过程中每一帧图像都回传至控制单元，控制单元识别每一帧图像中的每个像素点的坐标值，将坐标值重复的像素点相跳过对比，各个像素点的灰度值预设为S，同时将S逐一与N进行对比，当S＜N则开始将该像素点保留，当S＞N则该像素点删除；

④合成图像，控制单元按照预设坐标将各个像素点进行排列得到经红外线照射的硅片图像；