[发明专利]一种SiC宝石的热处理方法有效

专利信息
申请号: 201611126162.5 申请日: 2016-12-09
公开(公告)号: CN106637418B 公开(公告)日: 2019-04-09
发明(设计)人: 乔松;杨昆;高宇;郑清超 申请(专利权)人: 河北同光晶体有限公司
主分类号: C30B33/02 分类号: C30B33/02
代理公司: 北京连城创新知识产权代理有限公司 11254 代理人: 郝学江
地址: 071051 河北省保定市北*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 石墨坩埚 宝石 感应加热炉 热处理 放入 热处理过程 宝石表面 宝石颗粒 惰性气体 同一轴线 逐步升温 保温毡 均一性 内压力 粉料 组放 填充 升华 外部 加工
【权利要求书】:

1.一种SiC宝石的热处理方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将加工后的SiC宝石颗粒放入多孔小石墨坩埚中,用于将所述SiC宝石与SiC粉料隔离;

(2)将所述多孔小石墨坩埚放入大石墨坩埚中,使所述多孔小石墨坩埚的中心与大石墨坩埚的中心位于同一轴线上;

(3)在所述大石墨坩埚内、多孔小石墨坩埚外四周填充所述SiC粉料,所述多孔小石墨坩埚的孔隙率大于20%,用于热处理过程中,所述SiC粉料发生升华,产生的气相组分透过所述多孔小石墨坩埚进入其内部,提高SiC宝石周围的气相组分浓度,抑制SiC宝石表面升华;

(4)将所述多孔小石墨坩埚与大石墨坩埚组成的石墨坩埚组放入感应加热炉中,在所述大石墨坩埚外部四周放置保温毡,逐步升温至1000℃-1500℃;

(5)向所述感应加热炉内通入惰性气体,且所述感应加热炉内压力保持在0.5atm-1atm,完成SiC宝石的热处理。

2.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,所述多孔小石墨坩埚为圆柱形,圆柱顶端具有封闭所述多孔小石墨坩埚的上盖。

3.根据权利要求1-2中任一项所述的热处理方法,其特征在于,所述气相组分为Si、Si2C或SiC2

4.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,所述大石墨坩埚为圆柱形,体积比所述多孔小石墨坩埚大,将所述多孔小石墨坩埚置于所述大石墨坩埚内中心处,组成所述石墨坩埚组,所述大石墨坩埚的孔隙率小于10%。

5.根据权利要求1-2中任一项所述的热处理方法,其特征在于,所述SiC粉料的粒径小于1mm。

6.根据权利要求1所述的热处理方法,其特征在于,所述惰性气体为氩气和氦气。

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