[发明专利]掩模组件、掩模组件的制造方法及包括掩模组件的装置有效
申请号: | 201611127385.3 | 申请日: | 2016-12-09 |
公开(公告)号: | CN106960917B | 公开(公告)日: | 2021-09-03 |
发明(设计)人: | 张淳喆;宋昇勇;任星淳;黄圭焕;文敏浩;文英慜 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 模组 制造 方法 包括 装置 | ||
1.一种掩模组件,包括掩模片,所述掩模片包括:
图案部,包括至少一个开口;以及
焊接部,连接至所述图案部,所述焊接部和所述图案部由相同材料形成,所述焊接部的颗粒尺寸大于所述图案部的颗粒尺寸,以使得所述焊接部的热导率大于所述图案部的热导率。
2.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述焊接部包括至少一个焊接点。
3.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述图案部的表面粗糙度小于所述焊接部的表面粗糙度。
4.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述图案部的颗粒尺寸是纳米级的,以及所述焊接部的颗粒尺寸是微米级的。
5.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述掩模片具有在30wt%至50wt%的范围内的镍含量。
6.如权利要求1所述的掩模组件,其中,所述掩模片的颗粒晶体结构包括体心立方结构和面心立方结构。
7.如权利要求6所述的掩模组件,其中,所述焊接部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量大于所述图案部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量。
8.如权利要求1所述的掩模组件,还包括掩模框,
其中,所述焊接部焊接在所述掩模框上以将所述掩模片安装在所述掩模框上。
9.如权利要求8所述的掩模组件,其中,所述焊接部布置在所述掩模框上。
10.一种制造掩模组件的方法,所述方法包括:
制造掩模片;以及
将所述掩模片安装在掩模框上,
其中:
所述掩模片的制造包括:
在基础构件的第一部分中形成开口以形成图案部;以及
热处理所述基础构件的第二部分以形成焊接部,其中所述焊接部的颗粒尺寸大于所述图案部的颗粒尺寸,以使得所述焊接部的热导率大于所述图案部的热导率;以及
所述图案部和所述焊接部作为所述掩模片被提供。
11.如权利要求10所述的方法,其中,所述掩模片的安装包括将所述焊接部焊接至所述掩模框。
12.如权利要求10所述的方法,其中,所述基础构件的所述第二部分在350℃至所述基础构件的熔点的范围内被热处理。
13.如权利要求10所述的方法,其中,所述第二部分的热处理在所述图案部形成之前或之后执行。
14.如权利要求10所述的方法,其中,所述开口通过激光打孔、刻蚀或电铸镀层形成。
15.如权利要求10所述的方法,其中,所述基础构件通过电铸镀层形成。
16.如权利要求10所述的方法,其中:
所述掩模片的安装包括将所述焊接部的至少一个焊接点焊接至所述掩模框;以及
所述焊接部布置在所述掩模框上。
17.如权利要求10所述的方法,其中,所述掩模片具有在30wt%至50wt%的范围内的镍含量。
18.如权利要求10所述的方法,其中,所述焊接部的颗粒中的各自具有面心立方结构的颗粒的数量大于所述图案部的颗粒中的各自具有所述面心立方结构的颗粒的数量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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