[发明专利]带电路的悬挂基板及其制造方法

权利要求书

1.一种带电路的悬挂基板，其特征在于，

其包括：金属支承基板；基底绝缘层，其配置于所述金属支承基板的厚度方向一侧；导体层，其配置于所述基底绝缘层的所述厚度方向一侧，具有与滑橇电连接的连接端子，

所述基底绝缘层具有：在沿着所述厚度方向投影时至少与所述连接端子重叠的端子区域、和与所述端子区域不重叠且位于所述端子区域的周边的周边区域，

所述端子区域的厚度比所述周边区域的厚度厚。

2.根据权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，

所述基底绝缘层包括：

第1基底绝缘层，其配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧；

第2基底绝缘层，其包覆所述第1基底绝缘层，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧，

所述端子区域包括：

第1端子区域绝缘层，其由所述第1基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧；

第2端子区域绝缘层，其由所述第2基底绝缘层形成，配置于所述第1端子区域绝缘层的所述厚度方向一侧，

所述周边区域至少具有第2周边区域绝缘层，该第2周边区域绝缘层由所述第2基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧。

3.根据权利要求2所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，

该带电路的悬挂基板还具有：覆盖绝缘层，其以使所述连接端子暴露的方式包覆所述导体层，配置于所述基底绝缘层的所述厚度方向一侧；底座，其用于支承所述滑橇，

所述底座包括：

第1基底底座层，其由所述第1基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧；

第2基底底座层，其由所述第2基底绝缘层形成，配置于所述第1基底底座层的所述厚度方向一侧；

覆盖底座层，其由所述覆盖绝缘层形成，配置于所述第2基底底座层的所述厚度方向一侧。

4.根据权利要求1所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，

所述基底绝缘层包括：

第1基底绝缘层，其配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧；

第2基底绝缘层，其配置于所述第1基底绝缘层的所述厚度方向一侧，

所述端子区域包括：

第1端子区域绝缘层，其由所述第1基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧，

第2端子区域绝缘层，其由所述第2基底绝缘层形成，配置于所述第1端子区域绝缘层的所述厚度方向一侧，

所述周边区域至少具有第1周边区域绝缘层，该第1周边区域绝缘层由所述第1基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧。

5.根据权利要求4所述的带电路的悬挂基板，其特征在于，

该带电路的悬挂基板还包括：

覆盖绝缘层，其以使所述连接端子暴露的方式包覆所述导体层，配置于所述基底绝缘层的所述厚度方向一侧；

底座，其用于支承所述滑橇，

所述底座包括：

第1基底底座层，其由所述第1基底绝缘层形成，配置于所述金属支承基板的所述厚度方向一侧；

第2基底底座层，其由所述第2基底绝缘层形成，配置于所述第1基底底座层的所述厚度方向一侧；

覆盖底座层，其由所述覆盖绝缘层形成，配置于所述第2基底底座层的所述厚度方向一侧。

6.一种带电路的悬挂基板的制造方法，其是权利要求3所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于，

其包括如下工序：

准备所述金属支承基板的工序；

以在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧至少配置所述第1端子区域绝缘层、在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧至少配置所述第1基底底座层的方式形成所述第1基底绝缘层的工序；

以在所述第1端子区域绝缘层的所述厚度方向一侧配置所述第2端子区域绝缘层、在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧配置所述第2周边区域绝缘层、在所述第1基底底座层的所述厚度方向一侧配置所述第2基底底座层的方式形成所述第2基底绝缘层的工序；

在所述基底绝缘层的所述厚度方向一侧形成具有所述连接端子的所述导体层的工序；

以及以在所述第2基底底座层的所述厚度方向一侧配置所述覆盖底座层的方式形成使所述连接端子暴露、包覆所述导体层的所述覆盖绝缘层的工序。

7.一种带电路的悬挂基板的制造方法，其是权利要求5所述的带电路的悬挂基板的制造方法，其特征在于，

其包括如下工序：

准备所述金属支承基板的工序；

以在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧配置所述第1端子区域绝缘层、在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧配置所述第1周边区域绝缘层、在所述金属支承基板的所述厚度方向一侧配置所述第1基底底座层的方式形成所述第1基底绝缘层的工序；

以在所述第1端子区域绝缘层的所述厚度方向一侧至少配置所述第2端子区域绝缘层和在所述第1基底底座层的所述厚度方向一侧至少配置所述第2基底底座层的方式形成所述第2基底绝缘层的工序；

在所述基底绝缘层的所述厚度方向一侧形成具有所述连接端子的所述导体层的工序；

以及以在所述第2基底底座层的所述厚度方向一侧配置所述覆盖底座层的方式形成使所述连接端子暴露、包覆所述导体层的所述覆盖绝缘层的工序。