[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

电路；

焊盘结构，其设置在所述电路上方，所述焊盘结构包括包含彼此堆叠的第一焊盘的第一阶梯结构、包含彼此堆叠的第二焊盘的第二阶梯结构以及包含彼此堆叠的第三焊盘的第三阶梯结构；

第一开口，其设置在所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构之间并且穿过所述焊盘结构并暴露所述电路；

第二开口，其设置在所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构之间并且穿过所述焊盘结构并暴露所述电路；

第一互连结构，其将所述第一焊盘和所述第三焊盘彼此电联接，并通过所述第一开口或所述第二开口将所述第一焊盘和所述第三焊盘联接到所述电路；以及

第二互连结构，其将所述第二焊盘彼此电联接，并通过所述第一开口或所述第二开口将所述第二焊盘联接到所述电路。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构关于所述第一开口对称，并且所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构中的每个具有阶梯形状，其中阶梯结构的一部分的高度随着所述阶梯结构的一部分接近所述第一开口而增加。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构关于所述第二开口对称，并且所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构中的每个具有阶梯形状，其中阶梯结构的一部分的高度随着所述阶梯结构的一部分接近所述第二开口而减小。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述焊盘结构包括：

第一线结构，其包括彼此堆叠的第一线，所述第一线电联接到各自的所述第一焊盘；

第二线结构，其包括彼此堆叠的第二线，所述第二线电联接到各自的所述第二焊盘；以及

第三线结构，其包括彼此堆叠的第三线，所述第三线电联接到各自的所述第三焊盘，并且

其中，在所述第一线至所述第三线中，设置在相同水平处的第一线至第三线彼此隔离。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其进一步包括：

第一单元结构，其包括彼此堆叠的第一源极选择线和彼此堆叠的第二源极选择线，并被形成为使得在所述第一源极选择线和所述第二源极选择线之中，设置在相同水平处的第一源极选择线和第二源极选择线彼此隔离；以及

第二单元结构，其包括彼此堆叠的第三源极选择线和彼此堆叠的第四源极选择线，并被形成为使得在所述第三源极选择线和所述第四源极选择线之中，设置在相同水平处的第三源极选择线和第四源极选择线彼此隔离，

其中，所述第一线电联接到各自的所述第二源极选择线，所述第二线中的每个共同联接到在所述第一源极选择线和所述第三源极选择线之中的设置在相同水平处的第一源极选择线和第三源极选择线，并且所述第三线电联接到各自的所述第四源极选择线。

6.一种半导体装置，其包括：

第一单元结构；

第二单元结构；

焊盘结构，其设置在所述第一单元结构和所述第二单元结构之间，并且共同电联接到所述第一单元结构和所述第二单元结构，所述焊盘结构具有多个阶梯结构；

电路，其设置在所述焊盘结构下方；以及

一个或多个开口，其穿过所述焊盘结构并暴露所述电路，所述一个或多个开口设置在所述多个阶梯结构之间并且将所述多个阶梯结构彼此隔离。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述多个阶梯结构包括：

第一阶梯结构，其包括彼此堆叠的第一焊盘，所述第一焊盘电联接到所述第一单元结构；

第二阶梯结构，其包括彼此堆叠的第二焊盘，所述第二焊盘电联接到所述第一单元结构和所述第二单元结构；以及

第三阶梯结构，其包括彼此堆叠的第三焊盘，所述第三焊盘电联接到所述第二单元结构。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述开口包括：

第一开口，其设置在所述第一阶梯结构和所述第二阶梯结构之间，并被形成为使所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此隔离；以及

第二开口，其设置在所述第二阶梯结构和所述第三阶梯结构之间，并被形成为使所述第二焊盘和所述第三焊盘彼此隔离。