[发明专利]具有槽的金属板上的集成扇出线圈

说明书

本发明的实施例涉及具有槽的金属板上的集成扇出线圈。本发明实施例揭示一种结构，其包含囊封材料和包含贯穿导体的线圈。所述贯穿导体在所述囊封材料中，其中所述贯穿导体的顶面与所述囊封材料的顶面共面，且所述贯穿导体的底面与所述囊封材料的底面共面。金属板下伏于所述囊封材料。槽在所述金属板中且塡充有介电材料。所述槽具有与所述线圈重叠的部分。

技术领域

本发明的实施例涉及一种半导体元件。

背景技术

随着半导体技术的发展，半导体芯片/裸片变得越来越小。同时，更多功能需要集成到半导体裸片中。因此，半导体裸片需要使越来越大数目个I/O垫包装到较小区域中且I/O垫的密度随着时间迅速提高。结果，半导体裸片的封装变得更困难，此不利地影响封装的良率。

常规封装技术可分成两个类别。在第一类别中，在锯切晶片上的裸片之前封装裸片。此封装技术具有一些有利特征部，例如，较大处理能力和较低成本。此外，需要较少侧填料或模制化合物。此封装技术遭受缺点。举例来说，裸片的大小变得越来越小，且各自封装可仅为其中各裸片的I/O垫限于直接在各自裸片的表面上方的区域的扇入型封装。然而，在裸片面积有限的情况下，I/O垫的数目归因于I/O垫的间距的限制而有限。如果减小垫的间距，那么焊料区域可能彼此桥接，从而导致电路故障。另外，在固定球大小要求下，焊球必须具有特定大小，此继而限制裸片的表面上可包装的焊球的数目。因此，已开发集成扇出(InFO)封装。

InFO封装不适合于制作用于某些应用(例如，无线充电)的线圈。归因于InFO封装的小的大小，如果在InFO封装中制作线圈，那么线圈将小。InFO封装中的线圈与InFO封装外部的线圈之间的互感将低，且不可满足透过磁共振的无线电力传送的要求。另一方面，也不可通过增加线圈的匝数而增加互感，这是因为此将导致电阻增加，此继而导致电力传送的效率的大幅降低。

发明内容

本发明的实施例具有一些有利特征。通过在金属板中形成(若干)槽，电磁场可通过金属板，且改善InFO线圈与外部线圈之间的互感。此外，可放大互感，导致无线充电效应的改善。

根据本发明的一些实施例，一种结构包含：囊封材料；和线圈，其包含贯穿导体。贯穿导体在囊封材料中，其中贯穿导体的顶面与囊封材料的顶面大体上共面，且贯穿导体的底面与囊封材料的底面大体上共面。金属板下伏于囊封材料。槽在金属板中且塡充有介电材料。槽具有与线圈重叠的部分。

根据本发明的一些实施例，一种结构包含：囊封材料；装置裸片，其囊封于囊封材料中；和贯穿导体，其囊封于囊封材料中。贯穿导体形成电耦合到装置裸片的线圈的部分。结构进一步包含金属板，其具有与线圈重叠的一部分，其中金属板延伸超过线圈的边缘。介电材料穿透通过金属板。介电材料包含第一长形部分，所述第一长形部分具有平行于第一方向的第一纵向方向。第一长形部分包含与线圈重叠的第一部分和未与线圈重叠的第二部分。介电材料进一步包含第二长形部分，所述第二长形部分具有平行于第二方向的第二纵向方向，其中第二方向非平行于第一方向。第二长形部分接合到第一长形部分且与线圈重叠。

根据本发明的一些实施例，一种结构包含：囊封材料；装置裸片，其囊封于囊封材料中；和贯穿导体，其囊封于囊封材料中。贯穿导体形成电耦合到装置裸片的线圈的部分。结构进一步包含金属板，其具有与线圈重叠的部分。金属板延伸超过线圈的边缘。介电区域穿透通过金属板。介电区域包含与线圈重叠的块体部分和连接到块体部分的长形部分。长形部分窄于块体部分。长形部分包含与线圈重叠的第一部分和延伸超过线圈的边缘的第二部分。

附图说明

当与随附图一起阅读时从以下详细描述最佳理解本揭露的方面。应注意，根据业界中的标准方法，多种特征部未按比例绘制。事实上，为了清楚论述可任意增大或减小多种特征部的尺寸。

图1绘示根据一些实施例的集成扇出(InFO)封装的横截面视图。

图2绘示根据一些实施例的包含密封气隙的InFO封装的横截面视图。