[发明专利]可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

第一电极层；

可变电阻图案结构，在所述第一电极层上，所述可变电阻图案结构包括可变电阻层；

覆盖层，在所述可变电阻图案结构的相反的侧壁上，所述覆盖层包括具有不同的杂质浓度的第一区域和第二区域，所述第一区域插设在所述可变电阻图案结构和所述第二区域之间；以及

第二电极层，在所述覆盖层上，

其中所述第二区域的形成在所述可变电阻图案结构的顶表面之上的部分具有比所述第二区域的形成在所述可变电阻图案结构的相反的侧壁上的部分的杂质浓度低的杂质浓度。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述第一电极层和所述第二电极层的每个是字线或位线。

3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻层是磁隧道结(MTJ)层。

4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻层是相变层或电阻变化层。

5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中在所述覆盖层中：

所述第一区域接触所述可变电阻图案结构的相反的侧壁，所述第一区域具有第一杂质浓度；和

所述第二区域在所述第一区域上，所述第二区域具有低于所述第一杂质浓度的杂质浓度。

6.如权利要求5所述的可变电阻存储器件，其中包括在所述第一区域和所述第二区域中的杂质是氢。

7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述覆盖层在所述可变电阻图案结构的顶表面上从而密封所述可变电阻图案结构。

8.如权利要求7所述的可变电阻存储器件，其中在所述覆盖层中：

所述第一区域接触所述可变电阻图案结构的顶表面和相反的侧壁，所述第一区域具有第一杂质浓度；和

所述第二区域在所述第一区域上在所述可变电阻图案结构的顶表面和相反的侧壁上，所述第二区域具有低于所述第一区域的所述第一杂质浓度的杂质浓度。

9.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述覆盖层包括硅氧化物层、硅氮化物层、金属氧化物层或金属氮化物层。

10.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中所述可变电阻图案结构还包括选择器件。

11.一种可变电阻存储器件，包括：

多个第一信号线，彼此间隔开并在第一方向上平行于彼此延伸；

多个第二信号线，布置在所述多个第一信号线之上以彼此间隔开并在垂直于所述第一方向的第二方向上平行于彼此延伸；以及

多个存储器单元，布置在所述多个第一信号线和所述多个第二信号线之间的交叉点处以彼此间隔开，所述多个存储器单元的每个包括：

第一电极层，电连接到所述第一信号线或所述第二信号线；

可变电阻图案结构，位于所述第一电极层上，所述可变电阻图案结构包括可变电阻层；

覆盖层，在所述可变电阻图案结构的相反的侧壁上，所述覆盖层包括具有不同的杂质浓度的第一区域和第二区域，所述第一区域插设在所述可变电阻图案结构和所述第二区域之间；以及

第二电极层，在所述覆盖层上，所述第二电极电连接到所述第一信号线或所述第二信号线，

其中所述第二区域的形成在所述可变电阻图案结构的顶表面之上的部分具有比所述第二区域的形成在所述可变电阻图案结构的相反的侧壁上的部分的杂质浓度低的杂质浓度。

12.如权利要求11所述的可变电阻存储器件，其中每个所述存储器单元还包括电连接到所述第一电极层或所述第二电极层的选择器件。

13.如权利要求11所述的可变电阻存储器件，其中所述第一信号线和所述第二信号线的每个是字线或位线。