[发明专利]可变电阻存储器件

说明书

一种可变电阻存储器件包括：第一电极层；可变电阻图案结构，位于第一电极层上并包括可变电阻层；覆盖层，形成在可变电阻图案结构的相反的侧壁上并包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，形成在覆盖层上。

技术领域

实施方式涉及一种可变电阻存储器件。

背景技术

可变电阻存储器件基于可变电阻层的根据施加电压的电流传输特性，作为闪速存储器件的替代物而引起关注。

发明内容

实施方式指向一种可变电阻存储器件，该可变电阻存储器件包括：第一电极层；可变电阻图案结构，位于第一电极层上并包括可变电阻层；覆盖层，形成在可变电阻图案结构的相反的侧壁上并包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，形成在覆盖层上。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种可变电阻存储器件，该可变电阻存储器件包括：多个第一信号线，彼此间隔开并平行于彼此在第一方向上延伸；多个第二信号线，布置在多个第一信号线之上以彼此间隔开并在垂直于第一方向的第二方向上彼此平行地延伸；以及多个存储器单元，布置在多个第一信号线和多个第二信号线之间的交叉点处以彼此间隔开，其中多个存储器单元的每个包括：第一电极层，电连接到第一信号线或第二信号线；可变电阻图案结构，位于第一电极层上并包括可变电阻层；覆盖层，形成在可变电阻图案结构的相反的侧壁上并包括具有不同的杂质浓度的区域；以及第二电极层，形成在覆盖层上并电连接到第一信号线或第二信号线。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种制造可变电阻存储器件的方法，所述方法包括：在基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成包括可变电阻层的可变电阻图案结构；形成覆盖层以覆盖可变电阻图案结构；发射紫外线到覆盖层；以及在已经向其发射紫外线的覆盖层上形成第二电极层。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种制造可变电阻存储器件的方法，所述方法包括：在基板上形成第一电极层；在第一电极层上形成包括可变电阻层的可变电阻图案结构；形成覆盖层以覆盖可变电阻图案结构；将包括覆盖可变电阻图案结构的覆盖层的基板安装在腔室中的平台上；保持腔室为真空状态；通过使用提供在基板上方的紫外线发生器发射紫外线到覆盖层；以及在已经向其发射紫外线的覆盖层上形成第二电极层。

附图说明

通过参照附图详细描述示例实施方式，特征对于本领域技术人员将变得明显，附图中：

图1示出根据示例实施方式的可变电阻存储器件的等效电路图；

图2示出根据示例实施方式的可变电阻存储器件的透视图；

图3示出根据示例实施方式的可变电阻存储器件的单位存储器单元的透视图；

图4示出根据示例实施方式的可变电阻存储器件的单位存储器单元的电路图；

图5示出用于说明根据示例实施方式的可变电阻存储器件的电流和电压特性的图形；

图6A至6C示出用于说明根据示例实施方式的制造可变电阻存储器件的方法的截面图；

图7示出根据示例实施方式的制造可变电阻存储器件的方法的流程图；

图8A至8C示出根据示例实施方式的用于固化可变电阻存储器件的覆盖层的固化装置的截面图；

图9示出根据示例实施方式的制造可变电阻存储器件的方法的流程图；

图10A示出通过使用根据示例实施方式的制造可变电阻存储器件的方法制造的覆盖层的晶体结构的视图；

图10B示出根据比较例的覆盖层的晶体结构的视图；

图11示出根据示例实施方式的可变电阻存储器件的单元阵列的电路图；

图12示出图11的磁阻存储器单元的电路图；