[发明专利]磁传感器和磁传感器装置以及磁传感器的制造方法在审
申请号: | 201611141104.X | 申请日: | 2013-12-03 |
公开(公告)号: | CN106784300A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 福中敏昭;长谷川秀则 | 申请(专利权)人: | 旭化成微电子株式会社 |
主分类号: | H01L43/04 | 分类号: | H01L43/04;H01L43/06;H01L23/495;H01L23/31;H01L23/00;H01L21/56;G01R33/07 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 传感器 装置 以及 制造 方法 | ||
1.一种磁传感器,其中
该磁传感器包括:
霍尔元件,其具有基板、活性层以及多个电极部;
多个引线端子,其包括配置在上述霍尔元件的周围的第一引线端子、第二引线端子、第三引线端子以及第四引线端子,上述第二引线端子隔着上述霍尔元件与上述第一引线端子相对,上述第四引线端子隔着上述霍尔元件与上述第三引线端子相对;
多条导线,其将上述多个引线端子分别电连接于上述霍尔元件的上述多个电极部;
绝缘树脂层,其与上述霍尔元件的处于与具有上述多个电极部的面相反侧的面的至少一部分直接接触;以及
模制树脂,其对上述霍尔元件和上述多条导线进行树脂密封,
上述绝缘树脂层、上述多个引线端子和上述模制树脂分别从上述磁传感器的底面暴露,
上述基板为GaAs基板,
上述绝缘树脂层中覆盖上述霍尔元件的上述相反侧的面的部分的厚度为2μm以上。
2.根据权利要求1所述的磁传感器,其中,
上述绝缘树脂层的电阻高于上述霍尔元件的电阻。
3.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其中,
上述绝缘树脂层的体积电阻率为108Ω·cm~1018Ω·cm。
4.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其中,
上述绝缘树脂层含有填料。
5.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其中,
上述霍尔元件的厚度为0.10mm以下。
6.根据权利要求1或2所述的磁传感器,其中,
上述绝缘树脂层与上述霍尔元件的侧面相接触。
7.一种磁传感器装置,其中,
该磁传感器装置包括:
权利要求1~6中的任意一项所述的磁传感器;
布线基板,其用于安装上述磁传感器;
软钎料,其用于将上述磁传感器所包括的上述多个引线端子电连接于上述布线基板的布线图案。
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