[发明专利]一种集成电路ESD全芯片防护电路在审

申请号：	201611143108.1	申请日：	2016-12-06
公开（公告）号：	CN107039422A	公开（公告）日：	2017-08-11
发明（设计）人：	金湘亮;周子杰;汪洋	申请（专利权）人：	湘潭大学
主分类号：	H01L27/02	分类号：	H01L27/02
代理公司：	暂无信息	代理人：	暂无信息
地址：	411105 ***	国省代码：	湖南;43
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摘要：
搜索关键词：	一种集成电路 esd 芯片防护电路
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【权利要求书】：

1.一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：包括第一NMOS管、第二NMOS管、一个PMOS管、第一电阻、第二电阻，PMOS管与第一NMOS管共用INPUT/OUTPUT端口，PMOS管的漏极连接I/O口，源极与第二NMOS管的漏极相连，栅极与源极间串联第一电阻，第一NMOS管的漏极连接I/O口，第一NMOS管和第二NMOS管的栅极共用第二电阻，并与第一NMOS管和第二NMOS管的源极相连。

2.如权利要求1所述的一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：所述第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管均采用GCNMOS管。

3.如权利要求1所述的一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：所述第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管均为多指结构。

4.如权利要求1所述的一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：所述第一NMOS管为10指NMOS管。

5.如权利要求1所述的一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：所述第二NMOS管为2指NMOS管。

6.如权利要求1所述的一种集成电路ESD全芯片防护电路，其特征在于：所述PMOS管为16指PMOS管。

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