[发明专利]一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储装置

说明书

本发明属于数据存储领域，提供一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储系统，以提高整个NAND Flash的利用率。所述方法包括：从块队列中取出待写块；检查待写块是否被标识了再生流程旗标；若待写块被标识了再生流程旗标，则判断被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；若被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。本发明提供的技术方案一方面并不会影响闪存的读写效能；另一方面，可以避免NAND Flash等闪存的存储空间的浪费，从而提高整个NAND Flash的利用率。

技术领域

本发明属于数据存储领域，尤其涉及一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储装置。

背景技术

Flash memory简称闪存或Flash，是电子清除式可编程只读存储器(EEPROM)的一种，允许在操作中多次擦(Erase)或写(Program)。闪存是一种特殊的、以大区块擦写的EEPROM，其成本和速度都远较普通的以字节为单位写入的EEPROM有优势，也因此成为非挥发性固态存储最重要、也最广为采纳的技术。

目前Flash主要分为NOR型和NAND型两种结构，NAND Flash相较于NOR Flash具有擦写速度快、存储密度高、单位陈本低的有点。由于Flash的一个主要限制在于它的物理单元在写操作时只能由1变成0，因此，当NAND Flash的一个单元写过之后只能借由擦除操作(Erase)来恢复1的状态。NAND Flash在物理上分为块(Block)和页(Page)两种基本单位，NAND Flash由若干块组成，而其中每个块由若干页组成。一个页在进行写入数据之前，必须先保证其所在的块已经经过了擦除，且每次该页需要重新写入数据之前必须先擦除其对应的块。

由于NAND Flash工艺越来越先进，而导致NAND Flash耐久性和可靠度变得更差，同时，由于NAND Flash原厂对闪存坏块的定义是：若确定某个块(Block)的某个或某些页面有位错误并且超出检错纠错(Error Correcting Code，ECC)的能力范围，则该整个块就会被定义为坏块，然而，实际情况是该块的其他很多页面是好的且可以使用，因此，这种对坏块定义的方法直接导致了一旦NAND Flash有坏页发生，则会降低整个NAND Flash的利用率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存的坏块管理方法、装置和一种存储系统，以提高整个NAND Flash的利用率。

本发明第一方面提供一种闪存的坏块管理方法，所述方法包括：

从块队列中取出待写块；

检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；

若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；

若所述被标识了再生流程旗标的待写块满足利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。

本发明第二方面提供一种闪存的坏块管理装置，所述装置包括：

取块模块，用于从块队列中取出待写块；

旗标检查模块，用于检查所述待写块是否被标识了再生流程旗标；

判断模块，用于若所述待写块被标识了再生流程旗标，则判断所述被标识了再生流程旗标的待写块是否满足利用率要求；

写模块，用于若所述判断模块的判断结果为所述被标识了再生流程旗标的待写块满足当前利用率要求，则将所述满足利用率要求的待写块纳入写数据流程执行写操作。

本发明第三方面提供一种存储系统，所述存储系统包括上述闪存的坏块管理装置。