[发明专利]一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件

权利要求书

1.一种电子元器件电极的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。

2.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S1中，所述薄膜生带包括PET膜和附着在所述PET膜上的生坯。

3.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S2中，所述光阻剂的厚度大于等于10μm。

4.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S2中，所述光阻剂为感光胶，通过旋涂法在所述导电层上均匀平铺感光胶；或者，所述光阻剂为感光干膜，通过压膜的方式在所述导电层上均匀平铺感光干膜。

5.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S3中，曝光时使用的掩膜板中的电极图案的线宽、线间距均≤10μm。

6.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S4中，所述金属材料为银或者铜。

7.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：步骤S5中，先采用脱膜液去除所述光阻剂，再采用溶剂将裸露出来的导电聚合物溶解去除并进行清洗。

8.根据权利要求7所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：所述脱膜液为强碱性溶液。

9.根据权利要求1所述的电子元器件电极的制作方法，其特征在于：制得的电极的线宽、线间距均≤10μm，电极的厚度与线宽的比例大于等于1。

10.一种电子元器件，包括电极，其特征在于：所述电极为根据权利要求1～9任一项所述的制作方法制得的。