[发明专利]一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件

说明书

【技术领域】

本发明涉及一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件。

【背景技术】

随着电子元器件产品小型化的发展趋势以及高性能的发展要求，要求电极制作越来越精细，并且电导率要求越来越高。目前行业内有两种普遍的电极制作方式，一种为网版印刷工艺，一种为黄光工艺。印刷工艺受网版的限制以及印刷浆料印刷特性的限制，无法制作精细电极，目前可达到极限水平为线宽/线间距＝30μm/30μm。黄光工艺虽然可达到线宽/线间＝14μm/11μm的电极水平，但是由于受光刻银浆本身特性的影响，工艺本身无法继续制作更精细电极。另外，上述两种工艺中由银浆制得电极，银浆烧结后电阻率较高，无法满足元器件日益对于高电导率电极的需求。

【发明内容】

本发明所要解决的技术问题是：弥补上述现有技术的不足，提出一种电子元器件电极的制作方法及电子元器件，可制得精细化的电极，且制得的电极的电导率较高。

本发明的技术问题通过以下的技术方案予以解决：

一种电子元器件电极的制作方法，包括以下步骤：S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层；S2，在所述导电层上铺光阻剂；S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽；S4，电镀处理，在所述导电层上的所述电极沟槽中电镀沉积金属材料，形成电极；S5，去除光阻剂及光阻剂底部的导电聚合物，保留电极底部的导电聚合物，从而在薄膜生带上制得电极。

一种电子元器件，包括电极，所述电极为根据如上所述的制作方法制得的。

本发明与现有技术对比的有益效果是：

本发明的制作方法中，先沉积一层较薄的导电聚合物，然后在其上采用光阻剂曝光显影的方式由光阻剂与光阻剂之间形成电极沟槽，通过电镀方式在沟槽中沉积金属材料，去除多余的光阻剂以及导电聚合物后制得电极。由于光阻剂解析度较高，因此可以实现形成精细化的电极图案，例如线宽、线间距均≤10μm的电极图案，而且采用光阻剂构造电极沟槽，通过控制光阻剂的厚度，则可以制作出1:1甚至更大深宽比的电极沟槽。所以，本发明可以制作出厚度与宽度之比至少为1:1的电极。另外，由于本发明实现通过电镀的方法沉积金属材料作为电极，所以电极的导电率可以接近纯金属的电导率，制得的电极的电导率也较高。

【附图说明】

图1是本发明具体实施方式的电极制作方法的工艺流程图。

【具体实施方式】

下面结合具体实施方式并对照附图对本发明做进一步详细说明。

具体实施方式一

如图1所示，为本发明的具体实施方式的电极的制作方法，包括以下步骤：

S1，在用于制作电子元器件的薄膜生带100上沉积导电聚合物，形成一层厚度≤1μm的导电层200。

一般地，用于制作电子元器件的薄膜生带100包括PET膜和附着在所述PET膜上的生坯(图中示意的为一个整体)。将陶瓷粉料制作成浆料流延在PET膜上，可得到薄膜生带100。生带100的厚度设计为10μm。

本具体实施方式中，沉积导电聚合物时，将薄膜生带100放入盛有导电聚合物溶液的容器中，放置5分钟后取出并进行烘干，测得导电聚合物层的厚度在0.3～0.5μm的范围。测试导电聚合物层电阻率，电阻率为3～5Ω*cm。

S2，在所述导电层上铺光阻剂300。

光阻剂300可为感光胶或者感光干膜。光阻剂为感光干膜时，可通过压膜的方式在所述导电层上均匀平铺感光干膜。为感光胶时，铺设时，可通过旋涂法在导电层200上均匀平铺感光胶。旋涂法可以通过调整转速调整感光胶平铺在导电层200上的厚度。旋涂感光胶时，设置旋涂机转速2000转/min，旋涂时间30s。将陶瓷生带吸附在转台上，并在导电层200的表面倒上一定量的感光胶，启动旋涂机。感光胶旋涂后进行烘焙，测得感光胶厚度在10±1μm。

S3，对光阻剂进行曝光、显影，根据曝光时所使用的掩膜板中的电极图案去除所述导电层上的部分光阻剂，在所述导电层上保留的光阻剂之间形成电极沟槽400。