[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201611146494.X | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108231646A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 李飞;施林波;陈福成 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 胶黏剂 背面 半导体器件 键合过程 晶圆边缘 支撑 晶圆边缘区域 制造 碎裂 彼此相对 边缘区域 处理工艺 临时键合 有效减少 粘结力 减小 键合 去除 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面；
提供支撑晶圆，通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合；
对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺；
对所述器件晶圆的边缘区域进行处理，以去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂；
进行解键合，使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括采用晶圆边缘切割胶黏剂的方法去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理包括对所述器件晶圆边缘进行修剪的方法去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述修剪的方法同时去除所述器件晶圆的边缘部分。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述背面处理工艺包括减薄工艺。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，对器件晶圆的背面进行减薄的工艺为研磨工艺。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在键合之前在所述支撑晶圆待键合的表面涂覆一层释放层的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，还包括在解键合之前对所述释放层进行处理以释放所述释放层的步骤。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述支撑晶圆采用玻璃，所述释放层为光-热转化膜层，所述释放所述释放层的步骤采用激光处理。
10.如权利要求1到9任意一项所述的方法，其特征在于，所述解键合步骤包括：
移除所述支撑晶圆；
在所述器件晶圆正面布置去胶胶带；
移除所述器件晶圆正面的所述去胶胶带，同时去除所述器件晶圆表面的胶黏剂。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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