[发明专利]一种半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供了一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面；提供支撑晶圆，通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合；对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺；对所述器件晶圆的边缘区域进行处理，以去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂；进行解键合，使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。通过本发明的制造方法有效减少在键合过程中产生的胶黏剂对器件晶圆边缘斜面处的包裹，从而减小胶黏剂对晶圆边缘的粘结力，从而避免解键合过程中造成的器件晶圆碎裂。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种半导体器件的制造方法。

背景技术

随着人们对电子产品小型化、高性能化的要求逐步提升，电子芯片朝向越来越薄的方向发展。针对半导体晶圆厚度在400微米或以下尺寸的加工，由于减薄后的晶圆移送和处理困难，通常采用临时键合和解键合工艺以辅助晶圆制造过程中的转移和处理。临时键合和解键合工艺中通常采用将具有器件结构的器件晶圆与支撑晶圆先进行键合粘为一体，再对晶圆进行减薄，TSV制造，重布线层等集成电路制造工艺形成内部电路互联，最后将晶圆与载片进行解键合分离，并对其进行后处理。

现有技术中，因键合晶圆的器件晶圆正面具有正面结构，在键合过程中常采用在特定条件下可迅速固化的液态有机材料作为胶黏剂涂覆于器件晶圆正面，以控制后续键合晶圆处理中的总厚度变异(TTL)。器件晶圆表面涂覆胶黏剂的过程中，无法避免对晶圆边缘产生包裹，如图1所示，支撑晶圆102与器件晶圆100之间的胶黏剂101对器件晶圆边缘斜面产生包裹。这个包裹导致胶黏剂在器件晶圆边缘粘结力较大，因而在解键合过程中，支撑晶圆与器件晶圆的分离过程中，以及后续采用去胶胶带对胶黏剂进行去除过程中发生晶圆边缘拉起而产生晶圆碎裂。

如何在半导体晶圆的临时键合的解键合的制造过程中，减少晶圆碎裂是半导体制造厂商长期关注的问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

为了在半导体晶圆的临时键合和解键合的制造过程中，减少晶圆碎裂，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：

提供器件晶圆，所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面；

提供支撑晶圆，通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合；

对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺；

对所述器件晶圆的边缘区域进行处理，以去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂；

进行解键合，使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。

示例性的，所述处理包括采用晶圆边缘切割胶黏剂的方法去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂。

示例性的，所述处理包括对所述器件晶圆边缘进行修剪的方法去除所述器件晶圆边缘区域包裹的胶黏剂。

示例性的，所述修剪的方法同时去除所述器件晶圆的边缘部分。

示例性的，所述背面处理工艺包括减薄工艺。

示例性的，对器件晶圆的背面进行减薄的工艺为研磨工艺。

示例性的，还包括在键合之前在所述支撑晶圆待键合的表面涂覆一层释放层的步骤。

示例性的，还包括在解键合之前对所述释放层进行处理以释放所述释放层的步骤。

示例性的，所述支撑晶圆采用玻璃，所述释放层为光-热转化膜层，所述释放所述释放层的步骤采用激光处理。