[发明专利]一种发光二极管外延片的生长方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片的生长方法，所述生长方法包括：

在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层、P型GaN层、P型接触层；

其特征在于，所述P型接触层的生长过程分成(2*n+1)个阶段，n为正整数，所述阶段的序号为奇数时采用MO源全开的生长模式，所述阶段的序号为偶数时采用MO源全关的生长模式；所述MO源全开的生长模式为，开启Ga源、In源、Mg源，并通入NH₃、N₂和H₂，生长掺杂In和Mg的GaN层；所述MO源全关的生长模式为，关闭Ga源、In源、Mg源，并通入NH₃、N₂和H₂，中断生长掺杂In和Mg的GaN层。

2.根据权利要求1所述的生长方法，其特征在于，2≤n≤6。

3.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述MO源全开的生长模式的生长温度大于所述MO源全关的生长模式的生长温度。

4.根据权利要求3所述的生长方法，其特征在于，所述MO源全开的生长模式的生长温度与所述MO源全关的生长模式的生长温度之间的差异为10～50℃。

5.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述MO源全开的生长模式的生长时间小于所述MO源全关的生长模式的生长时间。

6.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述P型接触层的厚度不超过5nm。

7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，所述P型接触层的厚度为2～4nm。

8.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述有源层包括InGaN量子阱层，所述InGaN量子阱层中In的掺杂浓度大于所述掺杂In和Mg的GaN层中In的掺杂浓度。

9.根据权利要求1或2所述的生长方法，其特征在于，所述P型接触层的生长温度低于所述P型GaN层200℃以上。

10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，所述P型接触层的生长温度为700～800℃。