[发明专利]COA基板的制作方法及COA基板

权利要求书

1.一种COA基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底基板，在衬底基板上形成第一金属层；

采用第一道光罩制程对所述第一金属层进行图案化处理，并蚀刻去除未被光阻覆盖的第一金属层，形成栅极；

在所述栅极及未被所述栅极覆盖的衬底基板上依次形成栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层及第二金属层；

在所述第二金属层表面形成半灰阶光罩光阻图形，采用第二道光罩制程对所述有源层、欧姆接触层及第二金属层进行图案化处理，并交替采用两次湿法蚀刻及干法蚀刻去除未被所述半灰阶光罩光阻覆盖的区域，形成与所述栅极对应的有源层、欧姆接触层及源/漏极；

在所述源/漏极上及未被源/漏极覆盖的衬底基板上形成绝缘层；

在所述绝缘层上涂覆形成色阻层，所述色阻层具有一过孔，所述过孔暴露出所述绝缘层；

在所述色阻层上及暴露的绝缘层上依次形成第一钝化层及第二钝化层，所述第一钝化层的成膜速率小于所述第二钝化层的成膜速率；

在第二钝化层上涂布光阻层，采用第三道光罩制程对该光阻层进行灰阶曝光，使该光阻层图案化，形成不同厚度的第一光阻区域和第二光阻区域；

通过蚀刻制程移除未被第一光阻区域、第二光阻区域覆盖的第一钝化层、第二钝化层及绝缘层，暴露出漏极；

对光阻层进行灰化处理，保留部分第一光阻区域，去除所述第二光阻区域，所述部分第一光阻区域对应的是不需要形成像素电极的区域，去除的所述第二光阻区域对应的是形成像素电极的区域；

通过蚀刻制程移除未被所述部分第一光阻区域覆盖的所述第二钝化层，暴露出第一钝化层，位于所述部分第一光阻区域下方的第二钝化层边缘被去除，使得所述部分第一光阻区域边缘悬空；

在所述部分第一光阻区域、第一钝化层及暴露的漏极上沉积透明导电薄膜，在所述部分第一光阻区域边缘悬空的部位未沉积透明导电薄膜；

移除所述部分第一光阻区域及沉积在其上的透明导电薄膜，形成COA基板。

2.根据权利要求1所述的COA基板的制作方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度大于所述第一钝化层的厚度。

3.根据权利要求1所述的COA基板的制作方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度为0.2～0.3微米。

4.根据权利要求1所述的COA基板的制作方法，其特征在于，在通过蚀刻制程移除未被第一光阻区域、第二光阻区域覆盖的第一钝化层、第二钝化层和绝缘层的步骤中，蚀刻方法为干法蚀刻。

5.根据权利要求1所述的COA基板的制作方法，其特征在于，在去除所述第二钝化层的步骤中，采用干法蚀刻的方法去除所述第二钝化层。

6.根据权利要求1所述的COA基板的制作方法，其特征在于，所述第一光阻区域的厚度大于所述第二光阻区域的厚度。

7.一种COA基板，其特征在于，包括衬底基板、栅极、栅极绝缘层、有源层、欧姆接触层、源/漏极、绝缘层、色阻层、第一钝化层及像素电极，在所述第一钝化层上未设置像素电极的区域还设置有一第二钝化层，所述第一钝化层的成膜速率小于所述第二钝化层的成膜速率，并且，所述第二钝化层的厚度大于所述第一钝化层的厚度。