[发明专利]一种低噪声放大器有效
| 申请号： | 201611149378.3 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106803746B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 李琛;任铮;段杰斌;史汉臣 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;成都微光集电科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F3/19;H03F3/45 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低噪声放大器 | ||
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一负载电阻、第二负载电阻、反馈电阻、等效射频电阻、第一耦合电容、第二耦合电容、等效射频信号源、第一差分信号输出端、第二差分信号输出端、电源、第一偏置电压端和第二偏置电压端；其中，
等效射频信号源的一端与等效射频电阻的一端相连接，通过等效射频电阻输入信号；等效射频信号源的另一端接地；
等效射频电阻的另一端与第一耦合电容的一端相连；第一耦合电容的另一端与第二耦合电容的一端、第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极共同连接于一节点，第二耦合电容的另一端与反馈电阻的一端、第二晶体管的栅极连接于一节点；
反馈电阻的另一端连接于第二偏置电压；
第一晶体管的栅极连接第一偏置电压，第一晶体管的漏极连接第一差分信号输出端、且还连接于第一负载电阻的一端；
第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极连接第二差分信号输出端、且还连接于第二负载电阻的一端；
第一负载电阻的另一端与第二负载电阻的另一端共同连接至电源的正极；
第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极相连，第三晶体管的源极接地；其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为NMOS晶体管。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述等效射频电阻为30～75欧姆。
3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述等效射频信号源的射频范围为50MHz～5.5GHz。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一负载电阻为3～10千欧姆。
5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二负载电阻为3～10千欧姆。
6.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述反馈电阻为1～5千欧姆。
7.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一耦合电容的范围为2～20pF，第二耦合电容的范围为2～20pF。
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