[发明专利]一种低噪声放大器

说明书

本发明提供了一种低噪声放大器，包括：等效射频信号源的一端与等效射频电阻的一端相连接；等效射频电阻的另一端与第一耦合电容的一端相连；第一耦合电容的另一端与第二耦合电容的一端、第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极共同连接于一节点，第二耦合电容的另一端与反馈电阻的一端、第二晶体管的栅极连接于一节点；反馈电阻的另一端连接于第二偏置电压；第一晶体管的栅极连接第一偏置电压，第一晶体管的漏极连接第一差分信号输出端、第一负载电阻的一端；第二晶体管的漏极连接第二差分信号输出端、第二负载电阻的一端；第一负载电阻的另一端与第二负载电阻的另一端共同连接至电源正极；第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极相连。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种低噪声放大器。

背景技术

低噪声放大器(LNA)是射频收发机中的重要模块之一，主要用于通讯系统中将接收自天线的信号放大，以便于后级的接收机电路处理。

由于来自天线的信号一般都非常微弱，低噪声放大器一般情况下均位于非常靠近天线的部位以减小信号损耗。正是由于噪声放大器位于整个接收机紧邻天线的最先一级，它的特性直接影响着整个接收机接收信号的质量。为了确保天线接收的信号能够在接收机的最后一级被正确的恢复，一个好的低噪声放大器需要在放大信号的同时产生尽可能低的噪音以及失真。

随着现代移动通讯的发展，低噪声放大器要求能够适用于各种频率和协议的应用，因此对LNA的电感提出了更高的要求，尤其是要求LNA的电感可变，满足各种频率和协议应用的需要，从而使整个接收机成为一个宽带的接收机。输入端的阻抗匹配和噪声匹配是实现高增益和低噪声的关键，对输入端的阻抗匹配和噪声匹配影响最关键的是LNA的电感。

但是电感消耗了较多的芯片面积，因此一种不用电感的LNA解决方案便是采用噪声消除结构。通过噪声消除结构LNA，可以在不使用电感的前提下，获得较好的增益和噪声。但是对于很多协议来说，这类噪声消除LNA的噪声仍然是不可接受的。

发明内容

为了克服以上问题，本发明旨在提供一种低噪声放大器，从而有效降低宽带噪声。

为了达到上述目的，本发明提供了一种低噪声放大器，包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第一负载电阻、第二负载电阻、反馈电阻、等效射频电阻、第一耦合电容、第二耦合电容、等效射频信号源、第一差分信号输出端、第二差分信号输出端、电源、第一偏置电压端和第二偏置电压端；其中，

等效射频信号源的一端与等效射频电阻的一端相连接，通过等效射频电阻输入信号；等效射频信号源的另一端接地；

等效射频电阻的另一端与第一耦合电容的一端相连；第一耦合电容的另一端与第二耦合电容的一端、第一晶体管的漏极、第三晶体管的漏极共同连接于一节点，第二耦合电容的另一端与反馈电阻的一端、第二晶体管的栅极连接于一节点；

反馈电阻的另一端连接于第二偏置电压；

第一晶体管的栅极连接第一偏置电压，第一晶体管的漏极连接第一差分信号输出端、且还连接于第一负载电阻的一端；

第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极连接第二差分信号输出端、且还连接于第二负载电阻的一端；

第一负载电阻的另一端与第二负载电阻的另一端共同连接至电源的正极；

第三晶体管的栅极与第一晶体管的漏极相连，第三晶体管的源极接地。

优选地，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第三晶体管均为NMOS晶体管。

优选地，所述等效射频电阻为30～75欧姆。

优选地，所述等效射频信号源的射频范围为50MHz～5.5GHz。

优选地，所述第一负载电阻为3～10千欧姆。