[发明专利]光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置

权利要求书

1.一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，其特征在于，

所述光电转换元件的制造方法包括：

形成电极的工序；

形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；

在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；

在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及

通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，

在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层，

在形成所述电极的工序中，将第一导电材料的第一层和光反射性比所述第一导电材料高的第二导电材料的第二层以所述第一层位于表面并且所述第二层从作为在该表面的所述第一层形成的开口的电极开口露出的方式层叠多层，形成所述电极，

在所述绝缘层形成开口的工序中，以俯视下与所述电极开口重叠的方式在所述绝缘层形成开口。

2.根据权利要求1所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

在所述绝缘层形成开口的工序中，以该开口的内周缘位于俯视下比所述电极开口的内周缘靠内侧处的方式，在所述绝缘层形成开口。

3.根据权利要求1至2中任一项所述的光电转换元件的制造方法，其特征在于，

所述第二导电材料包含铝。

4.一种光电转换元件，其特征在于，具备：

将第一导电材料的第一层和光反射性比所述第一导电材料高的第二导电材料的第二层以所述第一层位于表面并且所述第二层从作为在该表面的所述第一层形成的开口的电极开口露出的方式层叠多层形成的电极；

绝缘层，覆盖所述电极并且形成有俯视下与所述电极开口重叠的开口；以及

半导体层，俯视下与所述开口重叠，

所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处。

5.一种光电转换装置，其特征在于，具备权利要求4所述的光电转换元件。