[发明专利]光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置

说明书

一种光电转换元件及其制造方法以及光电转换装置，在形成光电转换元件的半导体层的工序中，降低电极的导电材料附着于半导体层的可能性。一种光电转换元件的制造方法，所述光电转换元件具备半导体层，所述光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖所述电极的绝缘层的工序；在所述绝缘层中俯视下与所述电极重叠的区域形成开口的工序；在所述绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过所述覆盖层的图案化来形成所述半导体层的工序，在形成所述半导体层的工序中，以所述半导体层的外周缘位于俯视下比所述开口的内周缘靠外侧处的方式，形成所述半导体层。

技术领域

本发明涉及光电转换技术。

背景技术

以往提出有利用包含半导体层的光电转换元件检测光的技术。例如，在专利文献1中，公开了一种光电转换层介于下部电极和上部电极之间的光电转换元件。在光电转换元件的制造工序中，首先，在基板的整面上形成作为光电转换元件的下部电极的导电层，在导电层的表面形成半导体材料的覆盖层。然后，通过蚀刻等制造技术对覆盖层进行图案化是其呈岛状，形成光电转换元件的半导体层后，通过导电层的图案化形成光电转换元件的下部电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-78651号公报

发明内容

发明要解决的课题

在专利文献1的技术中，在对覆盖层进行图案化的工序中，成为基底的导电层(下部电极)露出的状态。因此，例如有时会通过覆盖层的图案化所使用的蚀刻溶液的附着从导电层分解导电材料，半导体层的表面或侧面附着导电材料，由此形成漏电流的路径。考虑到以上的事实，本发明的目的在于降低在形成光电转换元件的半导体层的工序中电极的导电材料附着于半导体层的可能性。

用于解决课题的手段

为了解决上述课题，本发明的优选的方式提供一种光电转换元件的制造方法，该光电转换元件具备半导体层，光电转换元件的制造方法包括：形成电极的工序；形成覆盖电极的绝缘层的工序；在绝缘层中俯视下与电极重叠的区域形成开口的工序；在绝缘层的表面形成半导体材料的覆盖层的工序；以及通过覆盖层的图案化来形成半导体层的工序，在形成半导体层的工序中，以半导体层的外周缘位于俯视下比开口的内周缘靠外侧处的方式，形成半导体层。在以上的方式中，通过覆盖层的图案化来形成半导体层的工序中，以半导体层的外周缘位于俯视下比绝缘层的开口的内周缘靠外侧处的方式，形成半导体层。即，在形成半导体层的工序中，电极被半导体层及绝缘层覆盖。因此，在形成半导体层的图案化的工序中，能够降低电极的导电材料分解而附着于半导体层的可能性。

本发明的优选的方式中，光电转换元件的制造方法还包括形成导电层的工序，导电层是将第一导电材料的第一层和光反射性比第一导电材料高的第二导电材料(例如铝)的第二层以第一层位于表面的方式层叠而成，在形成电极的工序中，以第二导电材料在导电层的表面形成电极。在以上的方式中，通过光反射性比第二层的第二导电材料低的第一导电材料形成导电层的表面的第一层，而通过第二导电材料在导电层的表面形成电极，因此，通过使光在电极的表面反射，能够实现高效率的光电转换。另外，由于在导电层的表面形成电极，与在覆盖导电层的绝缘层的表面形成电极并经由该绝缘层的导通孔使电极导通于导电层的构成相比较，有抑制电极和导电层之间导通不良(例如断线)的优点。

在本发明的优选的方式中，在形成电极的工序中，将第一导电材料的第一层和光反射性比第一导电材料高的第二导电材料(例如铝)的第二层以第一层位于表面并且第二层从作为在该表面的第一层形成的开口的电极开口露出的方式层叠多层，形成电极，在绝缘层形成开口的工序中，以俯视下与电极开口重叠的方式在绝缘层形成开口。在以上的方式中，光反射性的第二层从层叠第一层和第二层所构成的电极中位于表面的第一层的电极开口露出，因此通过使光在第二层的表面反射，能够实现高效率的光电转换。