[发明专利]嵌入式HKMG非易失性存储器在审
| 申请号： | 201611155078.6 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106935591A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 吴伟成;陈姿妤 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563;H01L27/11568 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 嵌入式 hkmg 非易失性存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种集成电路(IC)，包括：
存储区，包括在衬底上方横向隔开的选择晶体管和控制晶体管，其中，所述选择晶体管和所述控制晶体管分别包括设置在高k栅极介电层和存储栅极氧化物上方的选择栅电极和控制栅电极；以及
逻辑区，与所述存储区相邻设置并且包括逻辑器件，所述逻辑器件包括设置在所述高k栅极介电层和逻辑栅极氧化物上方的金属栅电极，
其中，所述选择栅电极和所述控制栅电极包括多晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
