[发明专利]基准电压源电压抑制电路及其植入集成电路和人工耳蜗

权利要求书

1.一种基准电压源电压抑制电路，其特征在于，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第八NMOS管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管，其中，

第一PMOS管的源极和第三PMOS管的源极分别与电压VDD连接，第一PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、及第二电阻的一端连接，第二PMOS管的源极和第一PMOS管的漏极连接，第四PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极连接，第二PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第二电阻的另一端、及第八NMOS管的漏极连接，第八NMOS管的栅极和运算放大器的输出端连接，第八NMOS管的源极、第一电阻的一端、及运算放大器的反相输入端连接，第一电阻的另一端和第一PNP晶体管的发射极连接，第一PNP晶体管的集电极和第二PNP晶体管的集电极连接，第一PNP晶体管的基极和第二PNP晶体管的基极接地，第二PNP晶体管的发射极、第四PMOS管的漏极、及运算放大器的同相输入端连接。

2.根据权利要求1所述的基准电压源电压抑制电路，其特征在于，当运算放大器的同相输入端和反相输入端相等时，基准电压源的电压得到抑制。

3.一种电子耳蜗植入集成电路，其特征在于，包括：如权利要求1或2所述的基准电压源电压抑制电路。

4.一种电子耳蜗，其特征在于，包括：如权利要求3所述的电子耳蜗植入集成电路。