[发明专利]基准电压源电压抑制电路及其植入集成电路和人工耳蜗

说明书

本发明提供基准电压源电压抑制电路，以及包括该电压抑制电路的植入集成电路和人工耳蜗。首先利用包括CASCODE电流源的电源抑制电路，但考虑到仅仅只有这一个CASCODE结构，其电源抑制效果并不能达到最佳，然后再接入运放，利用运放的增益比较大，通过输入信号虚短的原理，实现高的电源抑制。本发明的基准电压产生电路的设计，通过电路结构调整实现基准电压产生可以实现高电源抑制，结构简单，电压值可适应不同系统的要求。

技术领域

本发明涉及仿生医学电子技术领域，特别涉及提高电子耳蜗植入集成电路的基准电压源电压抑制的电路及方法。

背景技术

伴随科技的发展，医疗电子领域也取得了长足的进步。人工耳蜗技术作为一项集微电子、微机械、微加工等高精尖科技的科学成果，成为引领医疗电子发展的领头羊。人工耳蜗技术作为造福千万耳聋患者的有效技术，越来越多的得到社会各界的注意和重视。截止2010年初，全世界有十几万聋人使用了人工耳蜗，其中半数以上是儿童。人工耳蜗植入在我国开展已经开始于1995年，随着人工耳蜗植入工作的开展，病例数量的增加，适应症范围的扩大，一些特殊适应症的耳聋病例的人工耳蜗植入的疗效和安全性也得到了证实，使人工耳蜗植入的适应症进一步扩大。现今，人工耳蜗植入的应用越来越广泛，如何进一步提高电子耳蜗装置的性能，方便患者长期使用的问题越来越突出显现。

人工耳蜗采用的是无线射频通信原理实现体外语音处理器与植入装置交互。体内植入体通过无线耦合方式从语音处理器获得能量，并经过稳压电路获得工作电压。植入体产生的用于刺激听神经的刺激电流，以及用于检测人体神经反应的神经反应遥测信号都需要具有较高的精度，因此，植入体内部基准电压的性能至关重要。

植入体集成电路的基准电压模块要求产生的基准电压随电源、温度和工艺变化小，同时功耗低，面积小，实现简单。目前基准电压实现的方式都是利用三极管的基极与发射极的电压及两个三极管的基极与发射极电压的差组合实现，得到温度特性为零的基准电压。对如何提高基准电压源的温度特性研究的比较多，然而对基准电压的电源抑制，也就是说基准电压源随着电源的变化而变化的研究比较少。人工耳蜗通过无线方式传递能量，但是不同患者皮肤厚度不同，同一患者在不同年龄、不同时间皮肤厚度也会存在变化，这就会造成植入体获得能量的变化，对于植入集成电路内部必不可少的一个模块基准电压，要求基准电压值不能有变化。为了获得较高的电压抑制，只有利用复杂的电路来实现，这样又导致基准电压电路的面积和功耗都会增加很多。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种基准电压源电压抑制电路及其植入集成电路和人工耳蜗，用于解决现有技术中的上述问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种基准电压源电压抑制电路，包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第八NMOS管、运算放大器、第一电阻、第二电阻、第一PNP晶体管、第二PNP晶体管，其中，第一PMOS管的源极和第三PMOS管的源极分别与电压VDD连接，第一PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极、及第二电阻的一端连接，第二PMOS管的源极和第一PMOS管的漏极连接，第四PMOS管的源极和第三PMOS管的漏极连接，第二PMOS管的栅极、第四PMOS管的栅极、第二电阻的另一端、及第八NMOS管的漏极连接，第八NMOS管的栅极和运算放大器的输出端连接，第八NMOS管的源极、第一电阻的一端、及运算放大器的反相输入端连接，第一电阻的另一端和第一PNP晶体管的发射极连接，第一PNP晶体管的集电极和第二PNP晶体管的集电极连接，第一PNP晶体管的基极和第二PNP晶体管的基极接地，第二PNP晶体管的发射极、第四PMOS管的漏极、及运算放大器的同相输入端连接。

于本发明一实施例中，当运算放大器的同相输入端和反相输入端相等时，基准电压源的电压得到抑制。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种电子耳蜗植入集成电路，包括：如上任一所述的基准电压源电压抑制电路。