[发明专利]一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，其特征在于：所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。

2.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述鳍部材料为硅，所述第二源区和第二漏区材料为硅锗或碳化硅。

3.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述源区厚度以及漏区厚度与所述沟道区厚度相同。

4.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述第一源区以及第一漏区宽度小于所述沟道区宽度。

5.如权利要求4所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述第一源区以及第一漏区两侧均投影在所述沟道区内部。

6.如权利要求1所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：所述基底材料为绝缘体上硅。

7.一种改良的鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)提供基底，并在所述基底上形成中间厚度大于两端厚度的鳍部，其中厚度较薄两端区域分别为第一源区和第一漏区，厚度较厚的中间区域即为沟道区；

(2)在所述沟道区的上表面以及两侧形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的第一绝缘隔离层；

(3)在所述第一源区和第一漏区两侧以及顶部外延生长沉积晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度。

(4)在所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层，并且在源区以及漏区注入n型或p型杂质。

8.如权利要求7所述的改良的鳍式场效应晶体管，其特征在于：第(2)步之后，热氧化第一源区以及第一漏区，之后去除氧化层，减小第一源区以及第一漏区面积。