[发明专利]一种改良的鳍式场效应晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种鳍式场效应晶体管及其制作方法。

技术背景

晶体管是集成电路中关键的元件。为了满足晶体管更快速的需求，需要较高的驱动电流。另外，由于晶体管的驱动电流正比于晶体管的栅极宽度，为了提高驱动电流，需要较大的栅极宽度。

鳍式场效应晶体管具有一从基底突出的狭窄半导体材料有源区域作为鳍部，此鳍部包括源区与漏区，还包括源区与漏区之间的沟道区，栅极结构包括栅介质层以及位于栅介质层上的栅电极，栅极结构包裹覆盖鳍部沟道区，与沟道区的上表面以及两侧接触形成导电沟道，相当于增加了栅极宽度，有效增加了驱动电流，改善了器件性能。

随着现有相关技术的进步，器件的特征尺寸进一步下降，需进一步改善工艺，进一步增加驱动电流；同时，随着鳍式场效应晶体管尺寸缩小，鳍的尺寸随之缩小，造成源/漏区的电阻增加。

发明内容

本发明的目的是提供一种改良的鳍式场效应晶体管，提高驱动电流，减小源/漏区的电阻，改善晶体管性能。

本发明的另一目的是提供上述改良的鳍式场效应晶体管的制作方法。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种改良的鳍式场效应晶体管，包括：基底；位于所述基底上的鳍部，所述鳍部包括位于鳍部两端的第一源区和第一漏区以及第一源区和第一漏区之间的沟道区；横跨所述沟道区上表面以及两侧的栅极结构以及第一绝缘隔离层，所述第一绝缘隔离层位于所述栅极结构两侧，所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层。

优选地，所述鳍部材料为硅，所述第二源区和第二漏区材料为硅锗或碳化硅。

优选地，所述源区厚度以及漏区厚度与所述沟道区厚度相同。

优选地，所述第一源区以及第一漏区宽度小于所述沟道区宽度。

优选地，所述第一源区以及第一漏区两侧均投影在所述沟道区内部。

优选地，所述基底材料为绝缘体上硅。

一种鳍式场效应晶体管的制作方法，包括以下步骤：

(1)提供基底，并在所述基底上形成中间厚度大于两端厚度的鳍部，其中厚度较薄两端区域分别为第一源区和第一漏区，厚度较厚的中间区域即为沟道区；

(2)在所述沟道区的上表面以及两侧形成栅极结构以及位于所述栅极结构两侧的第一绝缘隔离层；

(3)在所述第一源区和第一漏区两侧以及顶部外延生长沉积晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度；

(4)在所述源区以及漏区垂直于栅极结构的两侧形成第二绝缘隔离层，并且在源区以及漏区注入n型或p型杂质。

优选地，第(2)步之后，热氧化第一源区以及第一漏区，之后去除氧化层，减小第一源区以及第一漏区面积。

相对于现有技术，本发明具有以下有益效果：

本发明所述鳍部的第一源区和第一漏区两侧以及顶部分别形成晶格常数与鳍部不同的第二源区和第二漏区，所述鳍部的第一源区和第一漏区厚度小于沟道区厚度，所以第二源区以及第二漏区分别与沟道区接触，第二源区和第二漏区晶格常数与鳍部不同，因此会为沟道区引入压应力或拉应力，从而提高沟道区的载流子迁移率；

所述第一源区与第二源区组成源区，所述源区宽度大于所述沟道区宽度，且所述源区厚度不小于沟道区厚度，所述第一漏区与第二漏区组成漏区，所述漏区宽度大于所述沟道区宽度，且所述漏区厚度不小于沟道区厚度，因此本发明源区以及漏区面积得到相应扩大，所以源区以及漏区电阻得到有效减少。

附图说明

图1为第一实施例结构示意图；

图2为第一实施例结构分解示意图；

图3A-图3D为第一实施例制作过程示意图；

图4为第二实施例鳍部结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图以及实施例对本发明进行介绍，实施例仅用于对本发明进行解释，并不对本发明有任何限定作用。

第一实施例