[发明专利]一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED

权利要求书

1.一种Al掺杂氧化物的制备方法，其特征在于，包括步骤：

A、在硫化物中加入铝源，然后加水混合得到混合液；

B、将混合液超声一段时间；

C、将超声后的混合液在150-200℃下反应3-24h，待反应液降到室温后，依次过滤和清洗得到Al掺杂氧化物;

所述硫化物为二硫化钼、二硫化钨或者二硫化钒;

所述铝源为硫化铝。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，超声处理的时间为5-30min。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤B中，超声处理的功率为100-600W。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硫化铝占硫化铝与硫化物总量的质量百分比为40-55%。

5.一种Al掺杂氧化物，其特征在于，采用如权利要求1所述的制备方法制成。

6.一种QLED，其特征在于，所述QLED的电子传输层的材料为如权利要求5所述的Al掺杂氧化物。

7.根据权利要求6所述的QLED，其特征在于，所述QLED为正型器件或反型器件；所述正型器件依次包括：含有底电极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极；所述反型器件依次包括：含有底电极的衬底、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、顶电极。

8.根据权利要求7所述的QLED，其特征在于，所述空穴注入层和/或空穴传输层的材料为如权利要求5所述的Al掺杂氧化物。