[发明专利]一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED

说明书

本发明公开一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED，方法包括步骤：A、在硫化物中加入铝源，然后加水混合得到混合液；B、将混合液超声一段时间；C、将超声后的混合液在150‑200℃下反应3‑24h，待反应液降到室温后，依次过滤和清洗得到Al掺杂氧化物。本发明采用溶液法来对氧化物掺杂Al，整个制备过程，无需真空条件和真空设备，工艺简单，效率高，成本低。通过本发明的方法可改变氧化物的功函数，使得氧化物的功函数和金属电极的功函数更加匹配，进而更有利于载流子的传输，同时制备得到的氧化物作为电子传输层具有优良的透光性，提高器件的性能。

技术领域

本发明涉及平板显示领域，尤其涉及一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED。

背景技术

量子点发光二极管（QLED）因其具有可调节的波长、高色纯的发光、窄的发光光谱、可溶液法制备等优点而被广泛的研究。目前限制QLED大规模商用的主要问题在于其自身的稳定性；所以研究者逐渐将目标转向了使用无机物来替代其中的有机层。例如采用常见的氧化物（氧化锌、氧化钛、氧化锡和氧化锆等）作为无机电子注入层；或者采用常见的氧化物（氧化钼、氧化钨、氧化钒、氧化铜、氧化镍等）作为空穴注入层。虽然这些氧化物被大量应用到器件中，并且取得了不错的结果，但是器件的性能和稳定性仍需要进一步提高。因此出现了大量的掺杂氧化物的文献报道，例如Cs掺杂TiO₂、ZnO 或Al掺杂ZnO、MoO₃等。通过掺杂这些氧化物，提高了其载流子的传输效率、导电性以及载流子的有效阻挡作用和光学增强效果。

2015年Jian Liu等人在《Advanced Materials》杂志上表的文章中，通过使用共蒸的方法同时蒸镀氧化钼和Al，然后通过改变Al的混合比例来改变氧化钼的功函数，并将铝掺杂氧化钼和混合物作为电子传输层制备成反型的器件，取得了优于传统器件的性能。但该技术是使用蒸镀的方法来实现掺杂，需要昂贵的真空设备和复杂真空系统，工艺复杂、效率低，且成本高。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种Al掺杂氧化物、制备方法及QLED，旨在解决现有的氧化物掺杂方法工艺复杂、效率低且成本高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种Al掺杂氧化物的制备方法，其中，包括步骤：

A、在硫化物中加入铝源，然后加水混合得到混合液；

B、将混合液超声一段时间；

C、将超声后的混合液在150-200℃下反应3-24h，待反应液降到室温后，依次过滤和清洗得到Al掺杂氧化物。

所述的制备方法，其中，所述步骤B中，超声处理的时间为5-30min。

所述的制备方法，其中，所述步骤B中，超声处理的功率为100-600W。

所述的制备方法，其中，所述硫化物为二硫化钼、二硫化钨或者二硫化钒。

所述的制备方法，其中，所述铝源为硫化铝。

所述的制备方法，其中，所述硫化铝占硫化铝与硫化物总量的质量百分比为40-55%。

一种Al掺杂氧化物，其中，采用如上所述的制备方法制成。

一种QLED，其中，所述QLED的电子传输层的材料为如上所述的Al掺杂氧化物。

所述的QLED，其中，所述QLED为正型器件或反型器件；所述正型器件依次包括：含有底电极的衬底、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、顶电极；所述反型器件依次包括：含有底电极的衬底、电子传输层、量子点发光层、空穴传输层、顶电极。