[发明专利]双面OLED显示器件及其制作方法

权利要求书

1.一种双面OLED显示器件，其特征在于，包括阵列基板(1)、覆盖所述阵列基板(1)的透明阳极(21)、覆盖部分所述透明阳极(21)的反射阳极(22)、覆盖所述反射阳极(22)与所述透明阳极(21)的空穴传输层(3)、覆盖所述空穴传输层(3)的发光层(4)、覆盖所述发光层(4)的电子传输层(5)、覆盖所述电子传输层(5)的透明阴极(61)、覆盖部分所述透明阴极(61)的反射阴极(62)、及覆盖所述透明阴极(61)与反射阴极(62)的封装层(7)；

所述反射阳极(22)与反射阴极(62)共同将所述发光层(4)全部遮盖，且所述反射阳极(22)与反射阴极(62)在垂直于所述阵列基板(1)的垂直方向上至多有部分重叠。

2.如权利要求1所述的双面OLED显示器件，其特征在于，所述反射阳极(22)、反射阴极(62)分别遮盖所述发光层(4)的两侧，且所述反射阳极(22)与反射阴极(62)在垂直于所述阵列基板(1)的垂直方向上无重叠。

3.如权利要求2所述的双面OLED显示器件，其特征在于，所述反射阳极(22)遮盖所述发光层(4)的1/2～3/4，厚度为20nm～100nm；所述反射阴极(62)遮盖所述发光层(4)的1/4～1/2，厚度为20nm～100nm。

4.如权利要求1所述的双面OLED显示器件，其特征在于，所述透明阳极(21)采用具有高穿透率、高导电率和功函数高的材料；所述反射阳极(22)采用具有高反射率、高导电率、和功函数高的材料；所述透明阴极(61)采用具有高穿透率、高导电率和功函数低的材料；所述反射阴极(62)采用具有高反射率、高导电率、和功函数低的材料。

5.如权利要求4所述的双面OLED显示器件，其特征在于，所述透明阳极(21)采用的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、或铟锌锡氧化物；所述反射阳极(22)采用的材料为银、金、或铂；所述透明阴极(61)采用的材料为六硼化镧、或镁与银的堆栈组合；所述反射阴极(62)采用的材料为铝、或镁。

6.一种双面OLED显示器件的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤S1、提供阵列基板(1)，制备出覆盖所述阵列基板(1)的透明阳极(21)；

步骤S2、提供第一掩膜板，透过所述第一掩膜板制备出覆盖部分透明阳极(21)的反射阳极(22)；

步骤S3、依次制备出覆盖所述反射阳极(22)与透明阳极(21)的空穴传输层(3)、覆盖所述空穴传输层(3)的发光层(4)、及覆盖所述发光层(4)的电子传输层(5)；

步骤S4、制备出覆盖所述电子传输层(5)的透明阴极(61)；

步骤S5、提供第二掩膜板，透过所述第二掩膜板制备出覆盖部分透明阴极(61)的反射阴极(62)；

所述反射阳极(22)与反射阴极(62)共同将发光层(4)全部遮盖，且所述反射阳极(22)与反射阴极(62)在垂直于所述阵列基板(1)的垂直方向上至多有部分重叠；

步骤S6、在所述透明阴极(61)与反射阴极(62)上进行封装，制备出覆盖所述透明阴极(61)与反射阴极(62)的封装层(7)。

7.如权利要求6所述的双面OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述透明阳极(21)采用具有高穿透率、高导电率和功函数高的材料；所述反射阳极(22)采用具有高反射率、高导电率、和功函数高的材料。

8.如权利要求7所述的双面OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述透明阳极(21)采用的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、或铟锌锡氧化物；所述反射阳极(22)采用的材料为银、金、或铂。

9.如权利要求6所述的双面OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述透明阴极(61)采用具有高穿透率、高导电率和功函数低的材料；所述反射阴极(62)采用具有高反射率、高导电率、和功函数低的材料。

10.如权利要求9所述的双面OLED显示器件的制作方法，其特征在于，所述透明阴极(61)采用的材料为六硼化镧、或镁与银的堆栈组合；所述反射阴极(62)采用的材料为铝、或镁。