[发明专利]双面OLED显示器件及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种双面OLED显示器件及其制作方法。

背景技术

在显示技术领域，液晶显示(Liquid Crystal Display，LCD)器件与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件等平板显示器件已经逐步取代CRT显示器。

OLE显示器件具有自发光、亮度高、响应速度快、宽视角、低功耗及可弯曲实现柔性显示等特性，被誉为“梦幻显示器”，得到了各大显示器厂家的青睐，已成为显示技术领域中第三代显示器件的主力军。

OLED显示器件通常包括依次层叠的基板、阳极、空穴传输层、发光层、电子传输层、及阴极，其发光原理在一定电压驱动下，电子和空穴分别从阴极和阳极注入到电子传输层和空穴传输层，再迁移到发光层，并在发光层中相遇，形成激子并使发光分子激发，后者经过辐射弛豫而发出可见光。

OLED显示器件与LCD器件相比，最大的优势就是可制备大尺寸、超薄、柔性、透明及双面显示的器件。

随着电子产品的形式渐趋多样化，双面显示功能成为新一代显示器件的主要特色，特别是一些公用场所的显示器件。然而目前的双面OLED显示器件大多只是将两个独立的单面OLED显示器件进行背靠背组装，以实现双面显示，结构相对比较厚重，工艺相对复杂，制作成本较高，不符合消费者期望的轻薄与高性价比的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种双面OLED显示器件，能够解决现有的双面OLED显示器件结构比较厚重、工艺复杂、制作成本较高的问题。

本发明的另一目的在于提供一种双面OLED显示器件的制作方法，通过该方法制作的双面OLED显示器件结构轻薄、工艺简单、制作成本相对较低。

为实现上述目的，本发明首先提供一种双面OLED显示器件，包括阵列基板、覆盖所述阵列基板的透明阳极、覆盖部分所述透明阳极的反射阳极、覆盖所述反射阳极与所述透明阳极的空穴传输层、覆盖所述空穴传输层的发光层、覆盖所述发光层的电子传输层、覆盖所述电子传输层的透明阴极、覆盖部分所述透明阴极的反射阴极、及覆盖所述透明阴极与反射阴极的封装层；

所述反射阳极与反射阴极共同将所述发光层全部遮盖，且所述反射阳极与反射阴极在垂直于所述阵列基板的垂直方向上至多有部分重叠。

所述反射阳极、反射阴极分别遮盖所述发光层的两侧，且所述反射阳极与反射阴极在垂直于所述阵列基板的垂直方向上无重叠。

所述反射阳极遮盖所述发光层的1/2～3/4，厚度为20nm～100nm；所述反射阴极遮盖所述发光层的1/4～1/2，厚度为20nm～100nm。

所述透明阳极采用具有高穿透率、高导电率和功函数高的材料；所述反射阳极采用具有高反射率、高导电率、和功函数高的材料；所述透明阴极采用具有高穿透率、高导电率和功函数低的材料；所述反射阴极采用具有高反射率、高导电率、和功函数低的材料。

所述透明阳极采用的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、或铟锌锡氧化物；所述反射阳极采用的材料为银、金、或铂；

所述透明阴极采用的材料为六硼化镧、或镁与银的堆栈组合；所述反射阴极采用的材料为铝、或镁。

本发明还提供一种双面OLED显示器件的制作方法，包括如下步骤：

步骤S1、提供阵列基板，制备出覆盖所述阵列基板的透明阳极；

步骤S2、提供第一掩膜板，透过所述第一掩膜制备出覆盖部分透明阳极的反射阳极；

步骤S3、制备出覆盖所述反射阳极与透明阳极的空穴传输层、覆盖所述空穴传输层的发光层、及覆盖所述发光层的电子传输层；

步骤S4、制备出覆盖所述电子传输层的透明阴极；

步骤S5、提供第二掩膜板，透过所述第二掩膜板制备出覆盖部分透明阴极的反射阴极；

所述反射阳极与反射阴极共同将发光层全部遮盖，且所述反射阳极与反射阴极在垂直于所述阵列基板的垂直方向上至多有部分重叠；

步骤S6、在所述透明阴极与反射阴极上进行封装，制备出覆盖所述透明阴极与反射阴极的封装层。

所述透明阳极采用具有高穿透率、高导电率和功函数高的材料；所述反射阳极采用具有高反射率、高导电率、和功函数高的材料。

所述透明阳极采用的材料为氧化铟锡、氧化铟锌、铝掺杂氧化锌、或铟锌锡氧化物；所述反射阳极采用的材料为银、金、或铂。