[发明专利]使用光学投影的基板调整系统和方法有效

专利信息
申请号: 201611163577.X 申请日: 2016-12-15
公开(公告)号: CN106896646B 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 安东·J·德维利耶 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 李春晖;陈炜
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 光学 投影 调整 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于处理基板的处理系统,所述处理系统包括:

室,其被定尺寸并且配置成容纳用于处理的基板;

基板保持器,其定位于所述室内并且被配置成保持所述基板;

图像投影系统,其被配置成当所述基板在所述室中时将图像投影到所述基板的工作表面上,所述图像投影系统使用微镜投影装置来投影所述图像,所述图像投影系统被配置成基于预定的基板标识投影所述图像,所述图像投影系统被配置成将所述图像逐行投影到所述基板的工作表面上;以及

控制器,其被配置成控制所述图像投影系统并且使得所述图像投影系统将基于像素的图像投影到所述基板的工作表面上,

其中,所述图像投影系统被配置成另外地基于给定蚀刻室的关键尺寸蚀刻标识投影所述图像。

2.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述图像投影系统被配置成投影所述图像以在所述基板上创建偏置的关键尺寸标识,用于在随后的蚀刻过程期间的关键尺寸标准化。

3.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述图像投影系统被配置成通过使用一个或更多个镜将给定图像投影到所述基板的工作表面上,所述一个或更多个镜被配置成使激光束跨所述工作表面移动并且改变指向所述基板的工作表面的每个像素位置处的激光辐射的量。

4.根据权利要求3所述的处理系统,其中,所述图像投影系统包括激光检流计装置。

5.根据权利要求4所述的处理系统,其中,所述图像投影系统包括被配置成向给定基板提供光化辐射的光源。

6.根据权利要求5所述的处理系统,其中,所述光源被配置成提供小于400纳米波长的辐射。

7.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述图像投影系统使用数字光处理DLP装置或光栅光阀GLV装置或激光检流计装置以将所述图像投影到所述基板的工作表面上。

8.根据权利要求1所述的处理系统,其中,每个被投影像素能够通过选自光强度和光振幅的参数而变化。

9.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述图像投影系统被配置成将给定图像投影到所述基板的工作表面上小于60秒。

10.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述图像投影系统被配置成将给定图像每秒多次地投影到所述基板的工作表面上。

11.根据权利要求1所述的处理系统,其中,每个被投影像素的强度基于所述基板的关键尺寸标识。

12.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述室被定位在半导体制造工具内,所述半导体制造工具包括将液体分散在旋转基板上的至少一个模块,并且所述半导体制造工具包括具有用于加热所述基板的加热机构的至少一个模块。

13.根据权利要求1所述的处理系统,其中,所述室被定位在半导体制造工具内,所述半导体制造工具包括:

被配置成将光致抗蚀剂分散在所述基板上的至少一个模块;

被配置成将显影化学品分散在所述基板上的至少一个模块;以及

被配置成烘烤所述基板的至少一个模块。

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