[发明专利]使用光学投影的基板调整系统和方法有效
申请号: | 201611163577.X | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106896646B | 公开(公告)日: | 2020-09-11 |
发明(设计)人: | 安东·J·德维利耶 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 李春晖;陈炜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 光学 投影 调整 系统 方法 | ||
本文中的技术包括提供将光空间上控制地或基于像素地投影到基板上以调整各种基板属性的系统和方法。投影到基板表面的给定的基于像素的图像可以基于基板标识。基板标识可以在空间上表示跨基板的表面的非均匀性。这种非均匀性可以包括能量、热、关键尺寸、光刻曝光剂量等。这样的基于像素的光投影可以用于调整基板的各种属性,包括调整关键尺寸、加热均匀性、蒸发式冷却以及光敏剂的产生。将这样的基于像素的光投影与光刻图案化过程和/或加热过程相结合提高了处理均匀性并且降低了缺陷率。
相关申请的交叉引用
本申请要求于2015年12月18日提交的标题为“Substrate Tuning System andMethod Using Optical Projection”的美国专利申请第14/974,974号的权益,其全部内容通过引用并入本文中。
背景技术
本公开内容总体上涉及包括半导体基板(例如硅晶片)的基板的图案化。本公开内容还涉及与作为半导体装置制造的一部分的包括在基板上涂覆膜和对膜进行显影的光刻有关的过程。本公开内容特别地涉及作为光刻和图案化过程的一部分的对图案化特征的尺寸和精度的控制。
光刻包括使用对电磁(EM)辐射敏感的膜对基板进行涂覆,将这些膜曝露于光化辐射的图案以在膜内限定隐性图案,然后显影掉(溶解并去除)所述膜中的一些以显露基板上的物理图案或凹凸图案。用于对基板进行涂覆和显影的制造工具通常包括可以用于添加膜、添加抗蚀剂以及对基板进行显影的许多模块。
发明内容
本文中的技术包括提供将光或电磁(EM)辐射空间上控制地投影到基板上的系统和方法。指向物体的400nm至700nm波长的光、紫外光(UV)、红外光或任何波长可以通过加热或提供光化辐射来处理基板。
本公开内容解决了用于空间上改变基板的关键尺寸(CD)和/或温度的技术,并且可以适用于包括沉积系统、蚀刻系统(湿式和干式)的半导体、平板显示器和光伏系统中的真空和非真空处理系统。例如,基于像素的投影光图案可以校正关键尺寸、光刻曝光非均匀性、步进曝光延迟时间等。
当然,为了清楚起见,已经呈现如本文描述的不同步骤的讨论顺序。通常,这些步骤可以以任意适当的顺序进行。另外,尽管本文中的不同的特征、技术、配置等中的每一个都可以在本公开内容的不同地方进行讨论,但是每个构思旨在可以彼此独立或彼此结合执行。因此,本发明可以以许多不同的方式实施和呈现。
注意,本发明内容部分并不指定本公开内容或所要求保护的发明的每个实施方式和/或增加的新颖方面。替代地,本发明内容仅提供不同实施方式的初步讨论和与常规技术相比的对应新颖点。对于本发明和实施方式的另外的细节和/或可能的方面,读者应关注如以下进一步讨论的本公开内容的具体实施方式部分和对应的附图。
附图说明
当结合附图考虑时,通过参考以下详细描述,本发明的各种实施方式的更完整的理解及其许多附带的优点将变得非常明显。附图不一定按比例绘制,而是将重点放在示出特征、原理和构思上。
图1是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性透视图。
图2是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性侧视图。
图3是表示空间上变化的属性的示例性基板标识的图。
图4是用于调整基板的示例性图像投影系统的示意性侧视图。
图5是跨基板截面的示例性简化关键尺寸或热标识的图。
图6是表示补偿给定热标识的投影图像的图。
图7是跨基板截面的示例性简化关键尺寸或热标识的图。
图8是半导体制造工具的示意图。
具体实施方式
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