[发明专利]晶片的加工方法有效
申请号: | 201611166077.1 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106920775B | 公开(公告)日: | 2021-02-19 |
发明(设计)人: | 大久保广成;岩本拓 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪思科 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/66 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;于靖帅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 加工 方法 | ||
1.一种晶片的加工方法,该晶片在基板的正面上在由呈格子状形成的分割预定线所划分出的各区域中形成有器件,并且在该分割预定线中通过借助中间掩膜的投影露光而形成、并且按照一定的周期配设有测试用的金属图案,该晶片的加工方法利用具有切削刀具的切削单元沿着该分割预定线对该晶片进行加工,其特征在于,该晶片的加工方法具有如下的步骤:
金属图案位置存储步骤,使切削装置的存储单元存储每个该中间掩膜的该金属图案的周期和位置信息;
对准步骤,在实施了该金属图案位置存储步骤之后,通过切削装置的对准单元对作为该晶片的加工位置的该分割预定线进行检测;
切削槽形成步骤,在实施了该对准步骤之后,通过该切削单元沿着该分割预定线形成切削槽;以及
加工位置测量步骤,在该切削槽形成步骤的实施中,根据在该金属图案位置存储步骤中预先存储的该金属图案的周期和位置信息,利用拍摄单元对包含在该金属图案位置以外的位置上通过该切削单元而形成的切削槽在内的区域进行拍摄,而对该切削槽的位置与所设定的加工位置的位置关系进行测量。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造