[发明专利]高压低热预算高K后退火工艺在审
| 申请号： | 201611167792.7 | 申请日： | 2016-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN106653589A | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 温振平 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 低热 预算 退火 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：
形成衬底，所述衬底包括硅材料；
使用氢化合物清洁所述衬底的上表面；
在所述衬底上形成绝缘层，所述绝缘层包括：
形成于所述衬底的上表面上的界面层，以及
形成于所述界面层上的高k介电层，所述高k介电层包括氧化铪HfO2；以及
在形成所述绝缘层之后用氮气对所述绝缘层执行退火工艺，其中所述退火工艺是在300℃至500℃之间的温度及高于15个大气压的压力下执行的。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺中使用的所述氮气包括氨NH3。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺操作达10至50分钟的时间段。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺在15至20个大气压之间的压力下操作。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺在400℃的温度下操作30分钟。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在300℃至500℃之间的温度下烘焙所述绝缘层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺包括通过激光的快速热退火RTA。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火工艺包括常规RTA与激光RTA的组合。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢化合物包括H2SO4和H2O2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
