[发明专利]半导体器件和电路保护方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，布置为根据控制信号产生输出信号；以及

钳位电路，包括第二晶体管和电阻元件，其中，所述钳位电路布置为根据输入信号产生所述控制信号，并且布置为当所述输入信号超过预定的信号电平时，将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处，并且将所述输出信号钳制在预定的输出信号处，并且所述电阻元件连接在所述第二晶体管的栅极端子和所述第一晶体管的源极端子之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述控制信号是所述第一晶体管的栅极端子和所述第一晶体管的源极端子之间的电压降，并且当所述输入信号高于所述预定的信号电平时，所述钳位电路布置为将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当所述输入信号高于所述预定的信号电平时，所述钳位电路布置为将所述第一晶体管的栅极端子上的栅极电流钳制在预定的电流处。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管具有第一阈值电压，并且所述

第二晶体管具有与所述第一阈值电压不同的第二阈值电压。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一阈值电压和所述第二阈值电压具有不同的极性。

6.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一晶体管是增强型高电子迁移率晶体管(E-HEMT)并且所述第二晶体管是耗尽型高电子迁移率晶体管(D-HEMT)。

7.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，当所述输入信号超过所述预定的信号电平时，所述第一晶体管的栅极端子和所述第一晶体管的源极端子之间的第一电压降高于所述第一阈值电压，并且所述第二晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的源极端子之间的第二电压降小于所述第二阈值电压。

8.根据权利要求4所述的半导体器件，其中：

所述第二晶体管的第一连接端子布置为接收所述输入信号；

所述第二晶体管的第二连接端子布置为连接至所述第一晶体管的栅极端子以输出所述控制信号；

所述第一晶体管的第一连接端子布置为输出所述输出信号；以及

所述第一晶体管的第二连接端子布置为连接至所述第二晶体管的栅极端子。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻元件布置为调整所述预定的信号电平。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述电阻元件是无源器件。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述电阻元件布置为降低所述预定的信号电平。

12.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，布置为根据控制信号产生输出信号；

第二晶体管，布置为将所述控制信号钳制在预定的信号电平处并且将所述输出信号钳制在预定的输出信号处；以及

电阻元件，其中，所述电阻元件连接在所述第二晶体管的栅极端子和所述第一晶体管的源极端子之间；

其中，所述预定的信号电平基于所述第二晶体管的阈值电压。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，当所述第二晶体管将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处时，所述第二晶体管的栅极端子和所述第二晶体管的源极端子之间的电压降小于所述阈值电压。

14.根据权利要求12所述的半导体器件，其中，所述第二晶体管的第一连接端子布置为接收输入信号；

所述第二晶体管的第二连接端子布置为连接至所述第一晶体管的栅极端子以输出所述控制信号；

所述第一晶体管的第一连接端子布置为输出所述输出信号；以及

所述第一晶体管的第二连接端子布置为连接至所述第二晶体管的栅极端子。