[发明专利]半导体器件和电路保护方法有效
申请号: | 201611170288.2 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN106972836B | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
发明(设计)人: | 关文豪;姚福伟;苏如意;黄敬源 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/52 | 分类号: | H03F1/52 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 电路 保护 方法 | ||
半导体器件包括第一晶体管和钳位电路。第一晶体管布置为根据控制信号产生输出信号。钳位电路布置为根据输入信号产生控制信号,并且布置为当输入信号超过预定的信号电平时,将控制信号钳制在预定的信号电平处。本发明实施例涉及半导体器件和电路保护方法。
技术领域
本发明实施例涉及半导体器件和电路保护方法。
背景技术
功率器件用于输出高功率信号。例如,功率器件可集成在发送器中,从而用于驱动大功率传输信号。功率器件也可集成在功率转换器件中。尽管功率器件设计为处理大功率信号,仍可通过高压尖峰破坏功率器件。高压尖峰可导致功率器件中的瞬时高电流,从而击穿功率器件。
发明内容
根据本发明的一些实施例,提供了一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及钳位电路,布置为根据输入信号产生所述控制信号,并且布置为当所述输入信号超过预定的信号电平时,将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。
根据本发明的另一实施例,还提供了一种半导体器件,包括:第一晶体管,布置为根据控制信号产生输出信号;以及第二晶体管,布置为将所述控制信号钳制在预定的信号电平处;其中,所述预定的信号电平基于所述第二晶体管的阈值电压。
根据本发明的又一些实施例,还提供了一种电路保护方法,包括:提供第一晶体管以根据控制信号产生输出信号;提供第二晶体管以根据输入信号产生所述控制信号;当所述输入信号超过预定的信号电平时,使用所述第二晶体管将所述控制信号钳制在所述预定的信号电平处。
附图说明
当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可最佳地理解本发明的各个方面。应该注意,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各种部件的尺寸可以被任意增大或减小。
图1是根据一些实施例的半导体器件的电路图。
图2是根据一些实施例示出图1中的半导体器件的第一晶体管的栅极电流和第二晶体管的漏极电流的特性的图。
图3是根据一些实施例示出图1中的半导体器件的第一晶体管的栅极电流和第二晶体管的漏极电流的特性变化的图。
图4是根据一些实施例示出图1中的半导体器件的漏极电流的图。
图5是根据一些实施例示出半导体器件的图。
图6是根据一些实施例示出图5中的半导体器件的第一晶体管的栅极电流和第二晶体管的漏极电流的特性的图。
图7是根据一些实施例示出电路保护方法的流程图。
图8是根据一些实施例示出半导体器件的图。
具体实施方式
以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然,这些仅仅是实例,而不旨在限制本发明。例如,在以下描述中,在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件以直接接触的方式形成的实施例,并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件,从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外,本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字符。该重复是为了简单和清楚的目的,并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。
而且,为了便于描述,在此可以使用诸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…之上”、“上部”等空间相对术语以描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外,空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上),并且在此使用的空间相对描述符可以同样地作出相应的解释。
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